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CIGS태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015178712
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지를 제조할 수 있는 장치 및 방법에 대한 것으로서 특히 광흡수층을 진공분위기에서 전기도금법에 의해 증착하여 수소기포나 산소기포가 상기 광흡수층에 포함되지 않도록 하여 균일한 광흡수층 두께를 얻을 수 있는 CIGS 태양전지 제조 방법에 대한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01)
출원번호/일자 1020110033021 (2011.04.11)
출원인 전북대학교산학협력단, (주) 다쓰테크
등록번호/일자 10-1221394-0000 (2013.01.07)
공개번호/일자 10-2012-0115614 (2012.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.11)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 (주) 다쓰테크 대한민국 충청북도 청원군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최철종 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 문경원 대한민국 전라북도 군산시 구영신창길 **, 가/***호
3 오미경 대한민국 충청남도 연기군
4 김영호 대한민국 충청남도 연기군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
2 (주) 다쓰테크 충청북도 청원군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0260243-81
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0375028-34
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0285111-74
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0564815-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0564816-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0692445-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1044858-07
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.12.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-1044857-51
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0003592-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140165-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.11 수리 (Accepted) 4-1-2019-5261936-54
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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CIGS 광흡수층을 증착하는 CIGS 태양전지 제조 방법으로서,기판을 준비하는 단계(S110)와, 상기 기판 상에 Ni, Cu, Mo 중 어느 하나로 이루어진 배면 전극을 증착하는 단계(S120)와,진공분위기가 유지되는 상태에서 상기 기판을 Cu, In, Se, Ga의 4성분 전구체를 용해시킨 도금액 내에 설치하여, 전기증착법을 이용하여 균일한 두께의 상기 CIGS 광흡수층 박막을 형성하되, 상기 증착 과정에서 발생되는 산소와 수소 기포는 외부로 배출시키는 단계(S130)와,상기 CIGS 광흡수층 상에 CdS로 이루어진 버퍼층(14)을 증착하는 단계(S140)와,ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 RF 스파터링 방법을 이용하거나 또는 Zn금속을 이용한 반응성 스파터링 방법을 이용하여 상기 버퍼층 상에 투명전극(15)을 증착하는 단계(S150)와,상기 투명전극 상에 반사방지막을 증착하는 단계(S160)를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 CIGS 광흡수층이 증착된 후 후속 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지 제조 방법
5 5
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6 6
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.