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쐐기 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178714
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 단면이 삼각형이며 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기 형태로 성장된 GaN 표면층상에 질화물 또는 산화물층이 형성되고, 마주보는 질화물층 또는 산화물층에 의해 형성된 골이 에어 스페이스를 형성하거나, 또는 실리카 구가 채워져 광추출 효율과 결정품질(crystal quality)이 개선된 쐐기 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110105347 (2011.10.14)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1256979-0000 (2013.04.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130419) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 강지혜 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 한남 대한민국 전라북도 전주시 완산구
4 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0805109-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0071420-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0558244-63
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0958470-00
7 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2012.11.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0958409-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0958459-07
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0140180-49
10 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2012.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0985909-74
11 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0142628-48
12 등록결정서
Decision to grant
2013.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0233382-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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기판;상기 기판상에 형성된 옥사이드 패턴;상기 기판상에 삼각형 단면을 가지는 하나 이상의 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형 GaN층;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형 GaN층의 정점 아래의 빗변 상에 형성된 질화물 DBR층;상기 질화물 DBR층이 마주보며 형성된 하나 이상의 에어 스페이스;상기 에어 스페이스 위로 재성장된 GaN층을 포함하는 쐐기 구조를 갖는 발광소자
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제11항에 있어서,상기 에어 스페이스에 채워진 실리카 구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쐐기 구조를 갖는 발광소자
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기판;상기 기판상에 형성된 옥사이드 패턴;상기 기판상에 삼각형 단면을 가지는 하나 이상의 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형 GaN층;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형 GaN층의 정점 아래의 빗변 상에 형성된 산화물 DBR층;상기 산화물 DBR층이 마주보며 형성된 하나 이상의 골;상기 골을 덮으며 재성장된 GaN층을 포함하는 쐐기 구조를 갖는 발광소자
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제14항에 있어서,상기 골의 안쪽바닥으로부터 상기 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기의 정점 아랫부분까지 채워진 실리카 구를 포함하는 것을 특징으로 하는 쐐기 구조를 갖는 발광소자
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기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 옥사이드패턴이 형성되는 단계;상기 기판상에 GaN층이 삼각형 단면을 가지는 하나 이상의 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기 형태로 성장되는 단계;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 GaN층의 빗변 상에 질화물을 이용하여 DBR층을 성장시키는 단계;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형태가 연속되어 형성된 골의 안쪽바닥으로부터 상기 쐐기의 정점 아랫부분에 실리카 구를 채우는 단계;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형태의 정점을 덮고 있는 DBR층을 ICP/RIE로 식각하는 단계;상기 DBR층 식각단계에 이어 실리카 구를 BOE로 식각하는 단계;GaN층을 재성장시키는 단계;를 포함하는 쐐기 구조를 갖는 발광소자의 제조방법
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기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 옥사이드패턴이 형성되는 단계;상기 기판상에 GaN층이 삼각형 단면을 가지는 하나 이상의 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기 형태로 성장되는 단계;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 GaN층의 빗변 상에 산화물을 이용하여 DBR층을 성장시키는 단계;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형태가 연속되어 형성된 골의 안쪽바닥으로부터 상기 쐐기의 정점 아랫부분에 실리카 구를 채우는 단계;상기 상단이 좁고 하단이 넓은 쐐기형태의 정점을 덮고 있는 DBR층을 ICP/RIE로 식각하는 단계;상기 DBR층 식각단계에 이어 GaN층을 재성장시키는 단계;를 포함하는 쐐기 구조를 갖는 발광소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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