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실리콘 기판상에 소정 농도의 불순물을 주입한 실리콘저메니움(SiGe) 에피층을 성장시키는 단계와;상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층상에 Ⅲ-질화계 에피층을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층은 Si, C, Ge, Sn 및 이들의 삼상(ternery), 사상(quaternary) 화합물층으로 단일 또는 다수의 에피층을 샌드위치 형상의 복합층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층은 상부와 하부에 각각 캡-실리콘(Cap-Si) 에피층(404) 및 씨드-실리콘(Seed-Si) 에피층을 포함하여 Si/SiGe/Si 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층 성장 방법
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제 3항에 있어서,상기 캡-실리콘(Cap-Si) 에피층(404) 및 상기 씨드-실리콘(Seed-Si) 에피층사이에 적어도 하나 이상의 Si/SiGe의 초격자층이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층은 Si, C, Ge 및 Sn의 조성비는 SiaCbGecSnd, 0003c#a≤1, 0003c#b≤1, 0003c#c≤1, 0003c#d≤1 이며, 불순물의 농도는 1019 ~ 5×1021 ㎝-3 조절하여 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층은 RPCVD를 이용하고, DCS 가스, SiH4 가스 또는 GeH4 가스 중 어느 하나를 메인 가스로 이용하고, H2 가스를 밸런스 가스로 이용하여 실리콘(Si) 기판상에 열분해를 통해 증착하는 방식을 통해 성장하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층 성장 방법
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제 6항에 있어서,상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층은 GeH4 가스 유량을 조절하여 Ge의 혼합비율을 0003c#x003c#100 %까지 변화시켜 다양한 상의 Si1-XGeX (0003c#x003c#1)의 복수의 인터레이어층으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층 성장 방법
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제 1항에 있어서,상기 Ⅲ-질화계 에피층은 GaN, InN, AlN 및 이들의 삼상(ternery), 사상(quaternary) 화합물층으로 단일 또는 다수의 에피층을 샌드위치 형상의 복합층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층 성장 방법
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실리콘 기판과;상기 실리콘 기판상에 소정 농도 불순물을 주입한 실리콘저메니움계 물질로 형성된 실리콘저메니움(SiGe) 에피층과; 상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층상에 3족 질화계 물질로 형성된 질화계 에피층을 포함하고, 상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층은 Si, C, Ge, Sn 및 이들의 삼상(ternery), 사상(quaternary) 화합물층으로 단일 또는 다수의 에피층을 샌드위치 형상의 복합층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층이 성장된 반도체 기판
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제 10항에 있어서, 상기 실리콘저메니움(SiGe) 에피층은 Si, C, Ge 및 Sn의 조성비는 SiaCbGecSnd, 0003c#a≤1, 0003c#b≤1, 0003c#c≤1, 0003c#d≤1 이며, 불순물의 농도는 1019 ~ 5×1021 ㎝-3 조절하여 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Ⅲ-질화계 에피층이 성장된 반도체 기판
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