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그래핀층 상에 GaN 층을 성장시키는 방법 및 상기 그래핀층 상의 GaN을 이용한 발광소자

  • 기술번호 : KST2015178731
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀층의 손상을 최소화하면서 그래핀층 상에 고품질의 GaN 결정층을 성장시키는 방법이 개시된다. 개시된 일 실시예에 따르면, 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계, 그래핀층 상에 Ga을 미리 흘려 Ga 시드를 형성하는 단계, 질화수소 화합물을 제공하여 Ga 시드 상에 GaN 버퍼층을 성장시키는 단계, 및 GaN 버퍼층 상에 GaN 결정층을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, Ga 시드를 형성하는 단계는 약 300도 내지 600도의 비교적 저온에서 수행되며, 질화수소 화합물을 제공하는 동시에 공정 온도를 약 1000도 내지 1100도로 상승시킬 수 있다. 약 300도 내지 600도의 저온 공정으로 Ga 시드가 먼저 형성되기 때문에, 이후의 GaN 버퍼층 형성 단계에서 그래핀층은 열에 의한 손상을 거의 입지 않는다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020110143912 (2011.12.27)
출원인 삼성전자주식회사, 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0075520 (2013.07.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원묵 대한민국 경기도 화성시
2 우윤성 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 최재영 대한민국 경상북도 영주시
4 이인환 대한민국 전라북도 전주시 완산구
5 전대우 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 전북대학교 산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1041257-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1169475-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0731875-05
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1271102-51
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1271101-16
9 등록결정서
Decision to grant
2018.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0280174-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 GaN 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 GaN 버퍼층 상에 GaN 결정층을 성장시키는 단계;를 포함하며,상기 그래핀층 상에 GaN 버퍼층을 형성하는 단계는:제 1 온도 범위에서 상기 그래핀층 상에 Ga 시드를 형성하는 단계; 및상기 제 1 온도 범위보다 높은 제 2 온도 범위에서 상기 Ga 시드 상에 GaN 결정을 성장시켜 GaN 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 상기 GaN 버퍼층 상에 GaN 결정층을 성장시키는 단계는 제 2 온도 범위에서 수행되는, GaN 결정층 성장 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층 상에 Ga 시드를 형성하는 단계는 MOCVD 방식으로 300도 내지 600도의 제 1 온도 범위에서 수행되는 GaN 결정층 성장 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 Ga 시드 상에 GaN 결정을 성장시켜 GaN 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 Ga 시드 상에 질화수소 화합물을 제공하면서 온도를 1000도 내지 1100도의 제 2 온도 범위로 상승시켜 수행되는 GaN 결정층 성장 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 질화수소 화합물은 암모니아(NH3)인 GaN 결정층 성장 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층 상에 GaN 버퍼층을 형성하는 단계는, GaN 결정의 성장 후에 온도를 300도 내지 600도로 내리는 풀림 공정을 더 포함하는 GaN 결정층 성장 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 GaN 버퍼층 상에 GaN 결정층을 성장시키는 단계는 MOCVD 방식으로 1000도 내지 1100도의 제 2 온도 범위에서 수행되는 GaN 결정층 성장 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 그래핀층은 그래핀이 다층 구조로 적층되어 있는 그래핀 다중층인 GaN 결정층 성장 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 GaN 결정층의 성장 후에, 상기 기판을 상기 그래핀층으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 GaN 결정층 성장 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
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