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하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1][상기 화학식 1에서,Z는 S 또는 Se이고;R는 C1-C20알킬기, C1-C20알킬카보닐기, C6-C20아릴카보닐기, C6-C20아르C1-C20알킬기이며, 상기 알킬, 아릴 및 아르알킬은 C1-C20알킬, C2-C20알케닐, C2-C20알키닐, C1-C20알콕시, 아미노기, 하이드록시기, 할로겐기, 사이아노기, 나이트로기, 트리플루오로메틸기 및 실릴기로 선택되는 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있으며,n과 m은 0 내지 4의 정수이다
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제 1항에 있어서,상기 R는 C1-C20알킬기, C1-C20알킬카보닐기, C6-C20아릴카보닐기로, 상기 알킬, 아릴 및 아르알킬은 C1-C20알킬 또는 C1-C20알콕시로 더 치환될 수 있으며,n과 m은 0 내지 2의 정수인 화합물
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제1항에 있어서,상기 Z는 S인 화합물
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하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 4의 화합물을 제조하는 단계;하기 화학식 4의 화합물과 하기 화학식 5의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 6의 화합물을 제조하는 단계; 및하기 화학식 6의 화합물과 하기 화학식 7의 화합물을 반응시켜 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 방법
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제 4항에 있어서,Z는 S이며;R은 C1-C20알킬기, C1-C20알킬카보닐기, C6-C20아릴카보닐기인 화학식 1의 화합물을 제조하는 방법
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하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 단위체로 포함하는 고분자 화합물
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7
제 6항에 있어서,고분자 화합물은 하기 화학식 11로 표시되는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
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제 7항에 있어서,상기 T는 하기 구조에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
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9
제 7항에 있어서,상기 화학식 11은 하기 구조식에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물
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기판;상기 기판상에 형성된 제 1전극 및 제 2전극;상기 제 1전극과 상기 제 2전극에 형성되며, 제 6항 내지 제 8항의 어느 한 항에 따른 고분자 화합물을 함유하는 광활성층을 포함하는 유기태양전지
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