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반도체 소자의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015178776
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자에 관한 것으로서, 상기 반도체 소자의 제조 방법은 기판 위에 비극성 또는 반극성 질화물 반도체 소자 구조를 형성하는 단계, 그리고 상기 비극성 또는 반극성 질화물 반도체를 습식 식각하는 단계를 포함한다.상기 반도체 소자의 제조 방법은 개선된 광 추출 특성을 갖는 반극성 또는 비극성 질화물 기반의 반도체 소자를 저렴한 비용 및 단축된 공정으로 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01) H01L 33/16 (2010.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020130012507 (2013.02.04)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1450268-0000 (2014.10.06)
공개번호/일자 10-2014-0099733 (2014.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20141022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성민 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 이성남 대한민국 경기도 시흥시 산기대학로
3 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0104086-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0084541-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0045560-67
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0266484-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0375348-43
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0375349-99
8 등록결정서
Decision to grant
2014.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0562978-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 제1 도전형 질화물 반도체층, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 위에 형성되는 활성층, 및 상기 활성층 위에 형성되는 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 비극성 또는 반극성 질화물 반도체 소자 구조를 형성하는 단계, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 위에, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층이 습식 식각될 부분을 제외한 부분에 마스크를 증착하는 단계, 그리고상기 마스크가 형성되지 않은 부분의 제2 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부분 까지 습식 식각하여 제거하는 단계를 포함하며,상기 습식 식각은 KOH를 1 내지 8mol/l의 몰농도로 포함하는 식각액으로, 0 내지 150℃에서 1초 내지 24시간 동안 이루어지는 것인 반도체 소자의 제조 방법
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삭제
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서,상기 습식 식각에 의하여 상기 제1 도전형 질화물 반도체층, 상기 활성층, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 식각면에 요철 구조가 형성되는 것인 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 요철 구조는 주상절리, 판상절리, 방상절리 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 형상인 것인 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 반도체 소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 광소자 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국산업 기술대학교 중견연구자 지원사업 반극성 질화물계 녹색 LED개발