| 1 |
1
기판 상에 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계 ; 상기 GaN 계열 반도체층 상에 복수의 금속 나노 도트 마스크를 형성한 후 선택적으로 GaN 계열 반도체층을 에칭하여 복수의 3차원 구조물을 형성하는 단계; 상기 GaN 계열 반도체층과 상기 3차원 구조물에 보호막을 형성시키는 단계 ; 상기 금속 나노 도트 마스크를 제거하여 상기 3차원 구조물 상단에 GaN 표면을 노출시키는 단계 ; 상기 노출된 GaN 표면을 씨드(seed)로 하여 제 1 반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 3차원 구조물이 마이크로 또는 나노사이즈의 로드 또는 필러(pillar)인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 3차원 구조물은 높이가 100nm~3㎛인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 3차원 구조물의 직경은 10 내지 900nm 이들 간의 간격은 50 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 보호막을 형성시키는 단계는 SiO2 또는 SiNx 를 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 제 1 반도체층을 재성장시키는 단계는 상기 보호막이 형성된 GaN 영역에서는 상기 제 1 반도체층의 재성장이 억제되는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 제 1 반도체층을 재성장시키는 단계는 상기 3차원 구조물 상단의 노출된 GaN 표면을 씨드(seed)로 유기금속화학증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 또는 하이드라이드 기상성장법(HVPE)을 사용하여 에피택시 측방 과성장(ELOG)시키는 단계인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 1 반도체층을 재성장시키는 단계 후에 활성층 및 제 2 반도체층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율발광 다이오드의 제조방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 1 반도체층을 재성장시키는 단계 후에 외부 압력 또는 기계적 힘을 가하거나 에칭처리하여 상기 기판을 분리시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서, 상기 제 1 반도체층은 n-GaN 또는 p-GaN 계열 반도체층인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
|
