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필터 회로를 구현하는 반도체 필터 소자에 있어서,기판과;상기 기판상에 형성된 복수 개의 TVS 제너 다이오드 소자와;상기 기판상에 상기 필터 회로의 복수 개의 TVS 제너 다이오드 소자에 대응하도록 마련된 복수 개의 PIN 다이오드와;상기 복수 개의 TVS 제너 다이오드 소자 및 상기 복수 개의 PIN 다이오드를 금속 배선으로 연결하여 형성된 인덕터 수동 소자를 포함하되,상기 인터덕 수동소자는 그라운드에 접지된 구조를 갖고, 상기 금속 배선에 연결되는 복수의 입출력 단자 패드를 형성하여 상기 TVS 제너 다이오드 소자, 상기 PIN 다이오드 및 상기 인덕터 수동 소자로 구성된 다단 필터 중 선택적으로 필터에 구동 신호를 인가하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자
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제 1항에 있어서,상기 다단 필터(Multi-stage)는 적어도 2단 이상의 구조를 갖으며, 입력단과 출력단(Di+, Di-, Do+, Do-)이 서로 대칭(symmetry)인 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자
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제 1항에 있어서, 상기 복수의 입출력 단자 패드에 인가되는 구동 신호에 따라 공통 모드 필터 또는 차동 모드 필터로 동작하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자
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제 1항에 있어서, 상기 TVS 제너 다이오드 소자는 접합 영역으로 이루어진 제너 소자층을 포함하고, 상기 접합 영역은 상기 기판의 상부에 n+층, n-층, p+층을 포함하는 p-top구조와, 상기 기판의 상부에 p+층, n-층, n+층, n-층, p+층을 포함하는 PNP구조와, 상기 기판의 상부에 p+층, n-층, n+층을 포함하는 n-top구조 및 상기 기판의 상부에 n+층, n-층, p+층, n-층, n+층을 포함하는 NPN구조 중 적어도 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자
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필터 회로를 구현하는 반도체 필터 소자의 제조방법에 있어서,기판상에 복수의 에피 영역으로 이루어진 TVS 제너 다이오드 소자를 형성하는 단계와; 상기 복수의 TVS 제너 다이오드 소자가 형성된 기판상에 상기 복수 개의 TVS 제너 다이오드 소자에 대응하도록 마련된 복수 개의 PIN 다이오드를 형성하는 단계와;상기 복수 개의 TVS 제너 다이오드 소자 및 상기 복수 개의 PIN 다이오드를 금속 배선으로 연결하여 인덕터 수동 소자를 형성하는 단계; 및 상기 금속 배선에 연결되는 복수의 입출력 단자 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 TVS 제너 다이오드 소자를 형성하는 단계는 상기 기판상에 제 1 에피층, 제 2 에피층, 제 1 n+ 이온 주입층 및 제 1 p+ 이온 주입층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 복수 개의 PIN 다이오드를 형성하는 단계는 상기 복수의 TVS 제너 다이오드 소자가 형성된 기판상에 제 3 에피층, 보호 산화막, 제 2 n+ 이온 주입층 및 제 2 p+ 이온 주입층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 복수 개의 PIN 다이오드를 소자가 형성된 기판상에 복수의 TVS 제너 다이오드 소자와 상기 복수 개의 PIN 다이오드의 사이에 트랜치를 더 형성하여 누설 전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 트렌치를 형성한 후 상기 기판이 노출되도록 상기 제 1 에피층 및 제 2 에피층을 식각한 후 트렌치의 내부면에 산화막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 인덕터 수동 소자를 형성하는 단계는 제 1 절연막을 증착한 후, 리소그래피와 식각공정을 이용하여 컨택 윈도우를 형성하고, 제 1 금속배선, 산화막, 제 1 컨택 비어 및 제 2 금속 배선을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 인터덕 수동소자는 그라운드에 접지된 구조를 갖고, 상기 제 1 및 2 금속 배선에 연결되는 복수의 입출력 단자 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 TVS 제너 다이오드 소자는 접합 영역으로 이루어진 제너 소자층을 포함하고, 상기 접합 영역은 상기 기판의 상부에 n+층, n-층, p+층을 포함하는 p-top구조와, 상기 기판의 상부에 p+층, n-층, n+층, n-층, p+층을 포함하는 PNP구조와, 상기 기판의 상부에 p+층, n-층, n+층을 포함하는 n-top구조 및 상기 기판의 상부에 n+층, n-층, p+층, n-층, n+층을 포함하는 NPN구조 중 적어도 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 TVS 제너 다이오드 소자, 상기 PIN 다이오드 및 상기 인덕터 수동 소자로 구성된 다단 필터(Multi-stage)는 적어도 2단 이상의 구조를 갖으며, 입력단과 출력단(Di+, Di-, Do+, Do-)이 서로 대칭(symmetry)인 구조로 형성되고, 입출력 단자 패드에 인가되는 구동 신호에 따라 공통 모드 필터 또는 차동 모드 필터로 동작하는 것을 특징으로 하는 ESD-EMI 공통모드 반도체 필터 소자의 제조방법
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