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베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 형성되는 인터 믹싱 레이어;상기 인터 믹싱 레이어 상에 형성되는 인터 레이어;상기 인터 레이어 상에 형성되는 탑 레이어;상기 탑 레이어 상에 형성되는 버퍼 레이어; 및상기 버퍼 레이어 상에 형성되는 에피 레이어; 를 포함하여 구성되고,상기 탑 레이어는, 상기 에피 레이어의 에피택시 과정에서 상기 에피 레이어와 상기 인터 레이어와의 혼합 및 확산 반응을 차단하는 역할을 하도록, 안정적인 물질 특성 및 날카로운 계면 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 구조
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제 1 항에 있어서,상기 인터 레이어는 상기 에피 레이어의 에피택시 과정에서 상기 베이스 기판과의 확산 반응을 통해 상기 인터 믹싱 레이어를 형성함으로써, 잔류 응력을 해소시키는 역할을 하며, 격자 불일치에 따른 응력으로 인한 결정결함이 상기 에피 레이어에 발생하는 정도를 최소화 하는 것을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 구조
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제 1 항에 있어서,상기 인터 레이어는 열팽창 계수가 최종적으로 성장되는 상기 에피 레이어와 실질적으로 유사한 특성을 가짐으로써, 열팽창 계수 차이로 인해 발생하는 웨이퍼 휨 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 구조
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제 1 항에 있어서, 상기 인터 레이어는, Si1-xGex, Ge1-xSnx로 구성되며, 성장되는 3족 질화계(Ⅲ-Nitride)의 상기 에피 레이어의 종류 및 상기 베이스 기판의 종류에 따라 그 조성비를 변화시켜 유동성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 구조
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베이스 기판의 상부에 인터 레이어를 성장하는 단계;상기 인터 레이어 상에 탑 레이어를 형성하는 단계;상기 탑 레이어 상에 저온의 버퍼 레이어를 성장하는 단계;상기 버퍼 레이어 상에 고온의 3족 질화계 에피 레이어를 형성하는 단계; 및상기 에피 레이어 성장 시 상기 인터 레이어가 유동성을 가지면서 상기 베이스 기판과 접촉하는 상기 인터 레이어 일부가 상기 베이스 기판과 반응하여 상기 베이스 기판과 상기 인터 레이어 사이에 인터 믹싱 레이어를 형성하는 단계; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 인터 레이어의 융해 온도는 상기 버퍼 레이어 성장 온도보다 높고, 상기 에피 레이어 성장 온도 보다는 낮은 것을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 인터 레이어는, 상기 에피 레이어를 성장하는 1,000 ~ 1,300 ℃의 고온에서 응력 이완되어, 결정결함이 SiGe계 에피 레이어로 집속되는 것을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 탑 레이어는, 고온의 상기 에피 레이어 성장 시 상기 버퍼 레이어와 상기 인터 레이어의 반응성을 막아주는 것을 특징으로 하는 고온 에피층을 이종 기판에 성장하는 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 에피 레이어를 상기 베이스 기판으로부터 리프트-오프(lift off)하는 단계; 를 더 포함하고, 상기 리프트-오프하는 단계는,수직적 방향에서 상기 에피 레이어, 상기 버퍼 레이어, 상기 탑 레이어, 상기 인터 레이어, 및 상기 인터 믹싱 레이어의 일부를 제거하는 건식 식각 단계; 수평적 방향에서 상기 인터 레이어, 및 상기 인터 믹싱 레이어를 제거하는 습식 식각 단계; 및상기 에피 레이어에 반도체 소자를 제조하고, 분리하는 단계; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 이종 기판을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 인터 레이어, 및 상기 인터 믹싱 레이어를 제거할 때, 상기 탑 레이어의 일부도 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 이종 기판을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 인터 레이어, 및 상기 인터 믹싱 레이어를 제거할 때, 상기 인터 믹싱 레이어의 일부가 상기 베이스 기판 상에 잔존하는 것을 특징으로 하는 이종 기판을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
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