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나노 솔라 셀 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178812
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 솔라 셀은, 기판 상에 형성된 복수의 수직형 나노 와이어 구조체를 구비하는 것으로서, 상기 나노 와이어 구조체는, 상기 기판 상에서 성장된 수직형 나노와이어의 형태를 갖는 제1 도전형 반도체; 상기 제1 도전형 반도체의 축 방향으로 성장된 다중 양자우물 구조 층; 상기 다중 양자우물 구조 층 내에 형성되는 것으로서, 드롭렛 형태를 갖는 양자점; 상기 나노 와이어 구조체의 표면에 형성되는 것으로서, 드롭렛 형태를 갖는 나노 메탈; 및 상기 다중 양자우물 구조 층의 상단으로부터 성장되는 제2 도전형 반도체를 포함한다.본 발명에 따르면, 나노 솔라 셀의 광 흡수에 이용되는 표면적이 증가되고, 내부 양자효율의 증가 및 반사율의 억제 등이 실현됨으로써 솔라 셀의 에너지 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020130080444 (2013.07.09)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1520036-0000 (2015.05.07)
공개번호/일자 10-2015-0006943 (2015.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20150513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 라용호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 박지현 대한민국 전라북도 익산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0617655-20
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0502298-41
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0903801-11
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0903799-17
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0139872-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0310744-09
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.03.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0310745-44
8 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2015.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0275780-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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기판 상에 적어도 하나의 수직형 나노 와이어 구조체를 형성하는 단계를 포함하는 나노 솔라 셀의 제조방법에 있어서,상기 수직형 나노 와이어 구조체를 형성하는 단계는,(a) 상기 기판 상에 수직형 나노와이어의 형태를 갖는 제1 도전형 반도체를 성장시키는 단계;(b) 상기 제1 도전형 반도체의 축 방향으로 다중 양자우물 구조 층을 성장시키는 단계;(c) 상기 다중 양자우물 구조 층 내에 드롭렛 형태의 양자점을 형성시키는 단계;(d) 상기 다중 양자우물 구조 층 상에 드롭렛 형태의 나노 메탈을 형성시키는 단계; 및(e) 상기 다중 양자우물 구조 층 및 나노 메탈 상에 제2 도전형 반도체를 성장시키는 단계를 포함하며,상기 다중 양자우물 구조 층은 교호적으로 형성되는 베리어 층 및 웰 층을 포함하되 상기 베리어 층 및 웰 층을 이루는 화합물은 도핑이 되어 있지 않고,상기 (b)단계는, (b1) 750℃ 내지 980℃의 온도 및 350torr 내지 760torr의 압력 하에서 Ga의 소스인 TMGa와 N의 소스인 NH3를 번갈아 공급하여 GaN 베리어 층을 성장시키는 단계; 및 (b2) 650℃ 내지 850℃의 온도 및 350torr 내지 760torr의 압력 하에서 In의 소스인 TMIn, Ga의 소스인 TMGa, 및 N의 소스인 NH3를 번갈아 공급하여 InGaN 웰 층을 성장시키는 단계를 포함하며,상기 (c)단계는, 상기 (b)단계의 진행 중간에 650℃ 내지 850℃의 온도 및 350torr 내지 760torr의 압력 하에서 In의 소스인 TMIn, 및 N의 소스인 NH3를 공급하되, TMIn 을 공급하는 경우 NH3의 공급을 중단하고, NH3를 공급하는 경우에는 TMIn의 공급을 중단하는 방식으로 이루어지며,상기 수직형 나노 와이어 구조체를 형성하는 단계는, 상기 양자점의 성장이 끝난 이 후에 온도를 900℃ 내지 1000℃ 까지 올려 나노 와이어 구조체의 측면에 형성되는 양자점을 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 솔라 셀의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 (d)단계는,상기 나노 와이어 구조체의 표면에 상기 나노 메탈을 증착시킨 후 어닐링 하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노 솔라 셀의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 (e)단계는,800℃ 내지 1000℃의 온도 및 300torr 내지 760torr의 압력 하에서 Ga의 소스인 TMGa와 N의 소스인 NH3를 동시에 공급하여 상기 다중 양자우물 구조 층의 상단으로부터 P-타입 GaN 층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 솔라 셀의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 복수의 나노 와이어 구조체 사이에 형성된 공간에 수지 성분으로 이루어진 충진재를 충진시키는 단계; 및상기 충진재의 상부를 통해 상기 제2 도전형 반도체가 노출되도록 상기 충진재를 에칭하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 솔라 셀의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체에 투명 전극을 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 솔라 셀의 제조방법
23 23
제22항에 있어서,상기 투명 전극에 제1 금속 콘택트를 접합시키는 단계; 및상기 기판의 하면에 제2 금속 콘택트를 접합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 솔라 셀의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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국가 R&D 정보가 없습니다.