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마그네슘 및 마그네슘 합금 중에서 선택된 1종 이상을 함유한 임플란트를 양극 및 음극으로 하고, 산성 전해액을 이용한 1 단계공정 또는 2 단계공정의 양극산화공정을 수행하여, 상기 임플란트 표면에 MgF2 코팅층을 형성시키는 표면처리공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 1항에 있어서, 양극산화공정 전에 전처리공정을 추가로 포함하며,상기 전처리공정은 임플란트를 C1-4의 알코올과 글리세롤의 혼합물을 사용하여 연마한 후, 연마된 임플란트를 C1-4의 알코올 내에서 초음파 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 1항에 있어서,상기 양극산화공정에 이용되는 전해액은 불산을 포함하는 산성용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 3항에 있어서,상기 전해액은 30중량%∼60중량%의 불산 수용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 1항에 있어서,상기 양극산화공정의 1 단계공정은 10 V∼150 V의 전압을 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 5항에 있어서,상기 양극산화공정의 1 단계공정의 공정시간은 1시간 이내에 공정을 완료하는 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 1항에 있어서,상기 양극산화공정의 2 단계공정은 짧은 시간 동안의 고전압을 인가하는 제1 단계; 및 상기 제1 단계에 비하여 긴 시간 동안의 낮은 전압을 인가하는 제2 단계;를 포함하는, 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 1항에 있어서,상기 양극산화공정의 2 단계공정은 100 V∼200 V의 전압을 인가하는 제1 단계; 및 30 V∼150 V의 전압을 인가하는 제2 단계를 포함하는, 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 8항에 있어서,상기 양극산화공정의 2 단계공정 중 제1 단계공정의 공정은 5분 이내에, 제2 단계의 공정은 1시간 이내에 완료하는 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트의 부식속도 제어에 효과적인 표면처리 방법
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제 1항 내지 제 9항의 표면처리 방법의 양극산화공정 중 음극인 임플란트 표면에 MgF2 코팅층을 형성시킨 것을 특징으로 하는 생체분해형 마그네슘 임플란트
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