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방향족기, 지환족기 및 헤테로사이클기로 이루어진 군에서 선택되는 2개 이상의 환형 작용기, 및 트랜스-시스 광이성질화기를 포함하는 리지드-코어부, 및 상기 리지드-코어부의 말단 또는 측면에 결합되는 유연성기를 포함하는 구조를 가지며, 분자량이 380 내지 1,000 g/mol이고, 액정 호스트에 대한 용해도가 0
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제1항에 있어서,상기 트랜스-시스 광이성질화기가 아조기, 아조옥시기 및 이민기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것인 액정 수직배향 유도제
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제1항에 있어서,상기 리지드-코어부가 방향족기, 지환족기 및 헤테로사이클기로 이루어진 군에서 선택되는 4 내지 6개의 환형 작용기, 및 트랜스-시스 광이성질화기를 포함하며, 상기 환형 작용기는 서로 직접 연결되거나, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알켄-디일기, 탄소수 2 내지 30의 알킨-디일기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기, 헤테로 원자 및 이를 포함하는 탄소수 1 내지 20의 헤테로알킬렌기로 이루어진 군에서 선택되는 연결기를 통해 연결되며, 상기 리지드-코어부의 분자량이 320 내지 800 g/mol인 것인 액정 수직배향 유도제
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제1항에 있어서,상기 유연성기가 할로겐기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기; 작용기내 N, O, P, S 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 헤테로 원자를 포함하며, 할로겐기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 액정 수직배향 유도제
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제1항에 있어서,상기 액정 수직배향 유도제가 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 액정 수직배향 유도제:[화학식 1]상기 화학식 1에서,A 및 B는 각각 독립적으로 아조기, 아조옥시기 및 이민기로 이루어진 군에서 선택되는 트랜스-시스 광이성질화기고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 할로겐기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기; 작용기내 N, O, P, S 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 헤테로원자를 포함하며, 할로겐기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것이며,Ra 내지 Rc는 각각 독립적으로 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 플루오로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,X는 하기 화학식 1a의 작용기이고,[화학식 1a](상기 화학식 1a에서 X1은 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알켄-디일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨-디일기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기, 카르보닐기, 에테르기, 티오에테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아민기, 이민기, 아조옥시기, 및 아조기로 이루어진 군에서 선택되고, Rd는 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 플루오로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며, p는 0 내지 4의 정수이고, 그리고 x는 0 또는 1의 정수이다)Y는 하기 화학식 1b의 작용기이며, [화학식 1b](상기 화학식 1b에서 Y1은 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알켄-디일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨-디일기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기, 카르보닐기, 에테르기, 티오에테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아민기, 이민기, 아조옥시기 및 아조기로 이루어진 군에서 선택되고, Re는 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 플루오로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며, q는 1 내지 4의 정수이고, 그리고 y는 0 또는 1의 정수이다)a 내지 c는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고, 그리고l 내지 n은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 액정 수직배향 유도제가 하기 화학식 2의 아조계 화합물, 하기 화학식 3의 디아조 또는 트리아조계 화합물, 하기 화학식 4의 아조옥시계 화합물 및 하기 화학식 5의 이민계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화합물을 포함하는 것인 액정 수직배향 유도제:[화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5]상기 화학식 2 내지 화학식 5에서, A 및 B는 각각 독립적으로 아조기, 아조옥시기 및 이민기로 이루어진 군에서 선택되는 트랜스-시스 광이성질화기고,R1 및 R2는 각각 독립적으로 플루오로기로 치환된거나 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 카르보닐기, 에테르기, 티오에테르기, 에스테르기, 티오에스테르기, 아민기, 이민기, 아조옥시기 및 아조기로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로원자 함유 작용기를 포함하며, 플루오로 원자로 치환되거나 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로알킬기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,Ra 내지 Re는 각각 독립적으로 할로겐기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 플루오로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,X11 및 Y11은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알켄-디일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨-디일기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기, 에테르기, 에스테르기, 아민기, 및 이민기로 이루어진 군에서 선택되고,X12 및 Y12는 둘 모두가 아조기이거나, 또는 둘 중 하나가 아조기이고, 다른 하나는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알켄-디일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨-디일기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기, 에테르기, 에스테르기, 아민기 및 이민기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,X13 및 Y13은 둘 모두가 이민기이거나, 또는 둘 중 하나가 이민기이고, 다른 하나는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알켄-디일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨-디일기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기, 에테르기, 에스테르기, 아민기 및 아조기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,l 내지 n, p, 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며, a 내지 c는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고, 그리고 x 및 y은 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 액정 수직배향 유도제는 하기 화학식 2a 내지 2d, 3a, 3b, 4a, 4b 및 5a 내지 5b 의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것인 액정 수직배향 유도제:[화학식 2a] [화학식 2b][화학식 2c][화학식 2d] [화학식 3a] [화학식 3b][화학식 4a][화학식 4b] [화학식 5a] [화학식 5b]상기 화학식 2a 내지 2d, 3a, 3b, 4a, 4b 및 5a 내지 5b에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고,X13 및 Y13은 둘 모두가 이민기이거나, 또는 둘 중 하나가 이민기이고, 다른 하나는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 20의 알켄-디일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨-디일기, 탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬렌기, 에테르기, 에스테르기, 아민기 및 아조기로 이루어진 군에서 선택되는 것이고, 그리고 n은 1 내지 20의 정수이다
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액정 호스트, 및제1항에 따른 액정 수직배향 유도제를 포함하며,상기 액정 수직배향 유도제가 액정층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0
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제1기판 및 제2기판에 대해 각각 제1및 제2전극을 형성하는 전극 형성단계; 상기 제1 및 제2전극을 각각 포함하는 제1기판과 제2기판을 전극들끼리 대면하도록 하여 접합한 후 제1기판과 제2기판 사이의 공간에 액정층 형성용 조성물을 주입하거나, 또는 상기 제1 및 제2전극을 각각 포함하는 제1기판과 제2기판 중 어느 하나에 대해 진공 하에서 액정층 형성용 조성물을 적하하여 액정층을 형성한 후 나머지 기판을 전극들끼리 대면하도록 접합하여 조립체를 제조하는 단계; 그리고상기 조립체에 대하여 광 조사하여 액정의 수직배향을 유도하는 단계를 포함하며,상기 액정층 형성용 조성물은 액정호스트 및 제1항에 따른 액정 수직배향 유도제를 포함하고, 상기 액정 수직배향 유도제는 액정층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0
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10
서로 대향하여 위치하는 제1기판과 제2기판;상기 제1기판과 제2기판의 상호 대향되는 면에 각각 형성된 제1전극과 제2전극; 그리고상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 개재되어 위치하는 액정층을 포함하며,상기 액정층은 액정호스트 및 제1항에 따른 액정 수직배향 유도제를 포함하는 액정층 형성용 조성물에 의해 제조되며, 제1기판 및 제2기판과 접하는 각각의 계면에 제1항의 액정 수직배향 유도제의 시스-이성질화 미세조립체를 포함하는 액정 수직배향막을 포함하는 것인 액정표시소자
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