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반도체 기판, 상기 반도체 기판 위에 위치하여 상기 반도체 기판과 오믹 접촉을 형성하며, 중심부에 관통 홀을 포함하는 사각 링 구조의 오믹 전극, 그리고 상기 오믹 전극의 관통 홀 내로 노출된 반도체 기판 위에 오믹 전극과는 이격되어 위치하며, 상기 반도체 기판과 쇼트키 접촉을 형성하는 쇼트키 전극을 포함하며, 상기 쇼트키 전극은 반도체 기판 위에 접착층, 5
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 질화물계 반도체를 포함하는 것인 쇼트키 다이오드
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제1항에 있어서,상기 접착층은 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인 쇼트키 다이오드
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제1항에 있어서,상기 접착층은 50Å이상 내지 쇼트키 금속층 두께의 1% 이하의 두께를 갖는 것인 쇼트키 다이오드
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제1항에 있어서,상기 쇼트키 금속층은 셀레늄을 포함하는 것인 쇼트키 다이오드
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제1항에 있어서,상기 쇼트키 금속층은 0
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제1항에 있어서,상기 캡층은 금(Au), 백금(Pt) 및 은(Ag)로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인 쇼트키 다이오드
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제1항에 있어서,상기 캡층은 100Å이상 내지 쇼트키 금속층 두께의 2% 이하의 두께를 갖는 것인 쇼트키 다이오드
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반도체 기판 위에, 중심부에 관통 홀을 포함하는 사각 링 구조의 오믹 전극을 형성하는 단계; 상기 오믹 전극의 관통 홀 내로 노출된 반도체 기판 위에 오믹 전극과 이격하여, 접착층, 쇼트키 금속층 및 캡층이 순차적으로 적층된 다층 구조물을 형성하는 단계; 그리고상기 다층 구조물을 열처리하여 쇼트키 전극을 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 접착층은 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인 쇼트키 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 쇼트키 금속층은 셀레늄을 포함하는 것인 쇼트키 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 캡층은 금(Au), 백금(Pt) 및 은(Ag)으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인 쇼트키 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 열처리 공정은 200 내지 300℃의 온도에서 실시되는 것인 쇼트키 다이오드의 제조방법
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