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플라즈마를 이용한 이종 금속이 도핑된 산화아연 미세분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178853
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마를 이용하여 이종금속이 도핑된 산화아연 미세분말을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 도펀트 금속의 산화물과 산화아연을 출발물질로 하고, 이들 산화물을 도핑량에 맞게 정량하는 단계; 정량된 산화물 출발물질을 통상적인 방법으로 혼합, 분쇄하거나 하소과정 등을 거쳐 고상 혼합 선구체 분말을 준비하는 단계; 상기2 단계를 통해 얻은 선구체 분말을 플라즈마를 이용하여 동시 용융 및 기화 등의 물리 화학적 변화가 가능하도록 가열하는 단계; 상기 3단계에서 플라즈마를 이용하여 물리 화학적으로 변화시킨 결과물을 급냉시켜 이종 금속이 도핑된 산화아연 미세 입자로 합성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL C01G 9/02 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130117015 (2013.09.30)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1542660-0000 (2015.07.31)
공개번호/일자 10-2015-0037429 (2015.04.08) 문서열기
공고번호/일자 (20150806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서준호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성헌 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** 비봉빌딩 *층(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0889268-10
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0121614-18
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1023044-57
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0019085-33
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0653793-37
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1139849-60
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1266426-17
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0078641-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0078733-19
11 등록결정서
Decision to grant
2015.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0397681-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마를 이용하여 이종금속이 도핑된 산화아연 미세분말을 제조하는 방법에 있어서, 1) 도펀트 금속의 산화물과 산화아연을 출발물질로 하고, 이들 산화물을 도핑량에 맞게 정량하는 단계; 2) 정량된 산화물 출발물질을 혼합, 분쇄하거나 하소과정 등을 거쳐 고상 혼합 선구체 분말을 준비하는 단계; 3) 상기2) 단계를 통해 얻은 선구체 분말을 플라즈마를 이용하여 동시 용융 및 기화 등의 물리 화학적 변화가 가능하도록 가열하는 단계; 4) 상기 3)단계에서 플라즈마를 이용하여 물리 화학적으로 변화시킨 결과물을 급냉시켜 이종 금속이 도핑된 산화아연 미세 입자로 합성하는 단계;를 포함하며 상기 1) 및 2) 단계에서 도펀트 금속의 산화물과 산화아연을 2~10 wt%의 Zn 대비 도펀트 금속 비로 혼합한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 이종 금속이 도핑된 산화아연 미세분말의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 1단계에서 도펀트 금속 산화물로 10 ㎛ 크기 이하0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 1)단계에서 10 ㎛ 크기 이하의 산화아연 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 이종 금속이 도핑된 산화아연 미세분말의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 1) 단계에서, 도펀트 금속 산화물로 In2O3, Al2O3, Ga2O3 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 이종 금속이 도핑된 산화아연 미세분말의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 3) 단계에서 주파수 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.