맞춤기술찾기

이전대상기술

플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178887
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 수직형 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하며, 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하며, 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 것을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능을 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF2) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020140024207 (2014.02.28)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0102396 (2015.09.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160003675;
심사청구여부/일자 Y (2014.02.28)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 전북 전주시 완산구
2 오문식 대한민국 전북 군산시 삼화길 **, (
3 김성준 대한민국 전북 전주시 완산구
4 정은진 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0201743-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0095213-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0118327-60
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0395927-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0490249-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0490262-70
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0665299-54
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.10.30 수리 (Accepted) 7-1-2015-0050157-71
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.11.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1074315-89
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-1074323-44
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0853573-70
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.01.06 수리 (Accepted) 7-1-2016-0000498-53
14 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0032615-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n타입 전극 패턴(n-electrode pattern);상기 n타입 전극 상에 형성되는 n타입 질화갈륨층(n-GaN layer);상기 n타입 질화갈륨층 상에 형성되는 활성층(active layer);상기 활성층 상에 형성되는 p타입 질화갈륨층(p-GaN layer);상기 p타입 질화갈륨층 상에 형성되는 플루오린화마그네슘 패턴(MgF2 pattern); 및상기 P타입 질화갈륨층과 접촉되고, 상기 플루오린화마그네슘 패턴 상에 형성되는 p타입 전극 패턴(p-electrode pattern);을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 플루오린화마그네슘(MgF2)의 굴절율(n)은 1
3 3
기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하는 단계;상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하는 단계; 및상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제2도전성 반도체층은 p타입 질화갈륨(p-GaN)을 포함하고, 상기 전류 억제층은 플루오린화마그네슘(MgF2)을 포함하며, 상기 플루오린화마그네슘(MgF2)은 상기 p타입 질화갈륨(p-GaN) 상에 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 증착됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제2전극은 은(Ag)을 포함하며,상기 은(Ag)은 상기 플루오린화마그네슘(MgF2) 상에 상기 전자 빔 증착기(E-beam evaporator)를 이용하여 증착됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 전류 억제층과 상기 제2전극은 인 시튜 공정에 의하여 형성됨을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101646894 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2015129991 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2015129991 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 UV LED 소자 제조 및 응용 기술 개발
2 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가 연구