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전자 빔 빗각 증착과 열처리를 이용하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015178904
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체와 금속 사이의 오믹 특성 강화 방법은, 질화갈륨(GaN) 계열 반도체 상에 니켈/금(Ni/Au) 전극을 형성하는 방법에 있어서, 상기 반도체와 상기 전극 간의 양질의 오믹 접촉을 위하여 전자 빔 빗각 증착(oblique-angle deposition)하는 단계, 및 상기 반도체와 상기 전극을 산소(O₂) 분위기에서 열처리(rapid thermal annealing)하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 33/40 (2010.01)
CPC H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01)
출원번호/일자 1020140024198 (2014.02.28)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1528098-0000 (2015.06.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 전북 전주시 완산구
2 오문식 대한민국 전북 군산시 삼화길 **, (
3 김성준 대한민국 전북 전주시 완산구
4 정은진 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0201715-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0062856-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0070817-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0311164-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0420536-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0420532-28
8 등록결정서
Decision to grant
2015.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0362684-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨(GaN) 계열 반도체 상에 니켈/금(Ni/Au) 전극을 형성하는 발광 다이오드 제조 방법에 있어서,상기 반도체와 상기 전극 간의 양질의 오믹 접촉을 위하여 전자 빔 빗각 증착(oblique-angle deposition)하는 단계; 및상기 반도체와 상기 전극을 산소(O₂) 분위기에서 열처리(rapid thermal annealing)하는 단계;를 포함하고,상기 빗각 증착은 40°~ 50°기울기 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기울기는 45°인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 550℃ 조건에서 60초간 실시되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 빗각 증착에 의하여 상기 반도체와 상기 전극 사이의 계면에 다 기공(porous)이 형성되고, 상기 열처리에 의하여 상기 다 기공(porous)이 확대되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 다 기공은 상기 반도체와 상기 전극 사이에 캐리어(carrier)의 이동을 원활하게 하는 패스(path)를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 반도체를 형성하는 공정은,기판 상에 n타입 질화갈륨을 증착하는 단계;상기 n타입 질화갈륨 상에 다중양자우물(multi-quantum well)(InGaN/GaN)을 증착하는 단계;상기 다중양자우물 상에 p타입 질화갈륨을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 UV LED 소자 제조 및 응용 기술 개발
2 미래창조과학부 전북대학교 산학협력단 신진연구지원사업 고신뢰도 수직형 질화갈륨 발광다이오드 제조 및 특성평가 연구