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기판 상에 하부 전극층; 제 1 도전형 반도체층; 광흡수층; 제 2 도전형 반도체층 및 상부 전극을 구비하는 태양전지로서, 상기 태양전지는 상기 제 2 도전형 반도체층과 상부 전극 사이에 위치한 양자점을 포함하고, 상기 양자점은 태양광을 흡수하여 상기 광흡수층으로 형광공명에너지 전달을 일으키는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 양자점과 상기 광흡수층이 형광공명에너지 전달을 일으키는 거리에 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 양자점과 상기 광흡수층 간의 거리가 10 nm 이내인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제 2 도전형 반도체층의 두께가 1 ~ 10 nm 이내인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 CdSe(코어)/ZnS(쉘)의 코어/쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 양자점의 사이즈는 1 내지 10 nm 범위인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 태양광의 파장 중 가시광 영역의 빛을 흡수하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체층 및 제 2 도전형 반도체층은 각각 n-형 또는 p-형 반도체로서 상호 반대되는 도전 특성을 갖는 결정질 또는 비정질의 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 8항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층은 n-형 비정질 실리콘 재질이고, 상기 제 2 도전형 반도체층은 p-형 비정질 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 광흡수층은 진성(intrinsic)의 결정질 또는 비정질 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지
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기판 상에 하부 전극층; 제 1 도전형 반도체층; 광흡수층; 제 2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2 도전형 반도체층 상에 양자점을 형성시키는 단계 ; 및 상기 양자점이 형성된 제 2 도전형 반도체층 상에 상부전극층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 양자점을 형성시키는 단계는 콜로이드 양자점 용액을 상기 기판 상에 도포한 후 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 양자점이 태양광을 흡수하여 상기 광흡수층으로 형광공명에너지 전달할 수 있도록 상기 제 2 도전형 반도체층의 두께를 1 ~ 10 nm 이내로 조절하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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