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질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178929
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 반응기 내부에 놓여진 기판에 기상(gas phase)의 아연소스를 공급하여 기판에 아연소스를 흡착시키는 단계; 상기의 아연소스가 흡착된 기판에 산소가스와 질소가스의 혼합가스를 플라즈마 형태로 공급하여 기판에 흡착된 아연소스와 반응시켜 질소가 도핑된 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기의 형성된 질소가 도핑된 산화아연 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020110032133 (2011.04.07)
출원인 전북대학교산학협력단, 동우 화인켐 주식회사
등록번호/일자 10-1263239-0000 (2013.05.06)
공개번호/일자 10-2012-0114552 (2012.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 동우 화인켐 주식회사 대한민국 전라북도 익산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한윤봉 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 김진환 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0253506-29
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0033320-23
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0307199-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0462586-99
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0809174-39
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0809172-48
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0088483-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.21 수리 (Accepted) 4-1-2013-5156547-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161555-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1)반응기 내부에 놓여진 기판에 Zn(C2H5)2 및 Zn(CH3)2 중에서 선택된 어느 하나 이상의 아연(Zn)을 포함하는 유기금속화합물(organometallic compound)의 아연소스를 기상(gas phase)으로 공급하여 기판에 아연소스를 흡착시키는 단계;(2)상기의 아연소스가 흡착된 기판에 산소가스 5sccm에 대하여 질소가스 1 5∼35sccm를 혼합한 혼합가스를 플라즈마 원자층 증착법(PEALD)에 의한 플라즈마 형태로 공급하여 기판에 흡착된 아연소스와 반응시켜 질소가 도핑된 산화아연 박막을 형성하는 단계;(3)반응기의 온도를 120∼250℃으로 8∼24시간 동안 유지하여 상기의 형성된 질소가 도핑된 산화아연 박막을 성장시키는 단계;(4)상기 (1)단계 내지 (3)단계를 더 실시하여 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 두께를 250nm∼950nm로 조절하는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,(1)단계의 아연 소스를 기판에 흡착시킨 후의 공정 및 (2)단계의 질소가 도핑된 산화아연 박막 형성 후의 공정 중에서 선택된 어느 하나 이상의 공정 이후에 질소가스 공급의 퍼징(purging)에 의해 미반응물을 반응기 외부로 배출(vent)시키는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,기판은 유리기판, 실리콘기판, 폴리이미드(polyimide)기판, 폴리에테르이미드(polyetherimide)기판, 폴리카보네이트(polycarbonate)기판, 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthalate)기판, 폴리에스터(polyester)기판, 폴리에테르설폰(polyethersulfone)기판 중에서 선택된 어느 하나이되, 상기 기판은 반응기에 놓기 전에 아세톤, 증류수, 탄소수가 1∼10개인 알코올 중에서 선택된 어느 하나 이상의 용액으로 세척한 것 임을 특징으로 하는 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막의 제조방법
6 6
삭제
7 7
청구항 제1항, 제3항 및 제5항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조한 질소가 도핑된 산화아연 투명 전도막을 포함하는 소재
8 8
제7항에 있어서,소재는 디스플레이, 태양전지 모듈의 전극, TV, 컴퓨터, 모니터, 핸드폰, 스마트폰 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 소재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.