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Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 양자점을 흡수층으로 이용한 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015178932
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 양자점을 광흡수층에 사용하여 광전변환 효율을 향상시킨 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 태양전지는 양자점을 광흡수층에 사용하여 종래에 흡수가 용이하지 않았던 파장대역의 태양광도 흡수할 수 있게 되었다. 또한, 본 발명의 태양전지는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층과 양자점층을 적절히 조합하여 다양한 파장대의 태양광을 흡수할 수 있어 광전변환 효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1020100074923 (2010.08.03)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0012719 (2012.02.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오혜민 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 김진수 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 조병구 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 노삼규 대한민국 대전광역시 유성구
5 김종수 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최재승 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)
2 이준혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0500760-03
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0514211-21
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0663716-61
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0745745-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0745456-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0013489-15
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0204023-71
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0472530-24
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0472342-47
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0665682-73
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
1 1
기판; 제 1 도전형 반도체층; 광흡수층 및 제 2 도전형 반도체층을 구비하고, 상기 광흡수층이 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 하나 이상의 양자점층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판 아래에 하부 전극층 및 상기 제 2 도전형 반도체층 위에 상부 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 광흡수층이 서로 다른 에너지 밴드갭을 갖는 하나 이상의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층 및 하나 이상의 양자점층이 텐덤방식으로 적층된 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 광흡수층이 화합물 반도체층상에 형성된 하나 이상의 양자점층을 포함하고, 상기 양자점층은 상기 화합물 반도체층보다 에너지 밴드갭이 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제 4항에 있어서, 상기 광흡수층이 상기 양자점층 상에 제 2 화합물 반도체층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 양자점층들은 하층보다 상층이 에너지 밴드갭이 크도록 적층된 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제 1항에 있어서, 상기 기판이 GaAs, Si 또는 Ge 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제 1항에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체층 및 제 2 도전형 반도체층은 각각 n-형 또는 p-형 반도체로서 상호 반대되는 도전 특성을 갖고, 상기 p-형 반도체는 III-V족 화합물 반도체에 Ⅱ족 성분이 도핑되고, 상기 n-형 반도체는 III-V족 화합물 반도체에 IV족 성분이 도핑된 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제 1항에 있어서, 상기 양자점층은 InAs, GaAs, InGaAs, InAlAs, InAlGaAs, InSb, InGaSb, InAlSb, InAlGaSb, InAsN, InGaAsN,InAlAsN, InAlGaAsN, InSbN, InGaSbN, InAlSbN, InAlGaSbN, InAsP, InGaAsP, InAlAsP, InAlGaAsP, InSbP, InGaSbP, InAlSbP 및 InAlGaAsP로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 양자점으로 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
기판, 제 1 도전형 반도체층을 순차로 형성하는 단계;상기 제 1 도전형 반도체층 상에 하나 이상의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층 및 하나 이상의 양자점층을 텐덤방식으로 광흡수층을 형성하는 단계 ; 및 상기 광흡수층 상에 제 2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 방법은 S-K(Stranski-Krastanov) 성장법, 원자층 성장 기법(Atomic Layer Epitaxy, ALE), droplet epitaxy법을 이용하여 양자점층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 방법은 하층보다 상층에 사이즈가 작은 양자점을 사용하여 하층보다 상층이 에너지 밴드갭이 크도록 적층하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
13 13
제 10항에 있어서, 상기 방법은 상기 양자점 내부의 물질 조성 또는 양자점의 종류를 변경하여 하층보다 상층이 에너지 밴드갭이 크도록 적층하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
14 14
제 10항에 있어서, 상기 방법은 각 양자점층의 성장시간, 온도 또는 성장변수를 달리하여 서로 다른 밴드갭을 갖는 양자점층들을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전북대학교 (총괄연구기관: 한국표준과학연구원) 기후변화대응 기초원천기술개발사업 In(Ga)As/GaAs 양자점에서 다중-엑시톤 생성을 통한 태양전지 광전변환 효율 개선 연구(총괄과제명: 고효율 나노 양자점 태양전지핵심기술 및 실용소자 개발)