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플라즈마 화학기상증착법을 이용한 저 유전체 SiCFO 박막성장

  • 기술번호 : KST2015178933
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Si 기판 위에 저 유전상수(low-k)를 갖는 SiCFO(fluoro-oxy-carbonated silicon) 층간 절연막을 제조하는 것이다. 본 발명은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)으로 SiH4, CF4 및 O2를 원료가스로 사용하여 저유전체 SiCFO 박막을 성장시키는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하여 제조된 SiCFO 박막은 매우 낮은 유전상수(k = 1.2∼2.2)를 가지면서 내수성이 좋아 수분흡수가 잘 안되고, 높은 온도(400 - 500 ℃)에서도 열적 안정성을 유지한다. 또한 PECVD 방법을 이용하기 때문에 매우 낮은 온도에서도 증착이 가능하며, 제조된 박막은 실리콘 기판과의 접합성이 우수하다.SiCFO 박막, 저 유전상수(low-k), 플라즈마 화학기상증착법, 층간 절연막
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02126(2013.01) H01L 21/02126(2013.01)
출원번호/일자 1020020000140 (2002.01.02)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0023244 (2002.03.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태희 대한민국 전라북도전주시덕진구
2 한윤봉 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2002-5000542-24
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0490315-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
1 1

저온 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)을 사용하여 Si-C-F-O계 저 유전상수(k=1

2 2

제1항에 있어 플라즈마(밀도 108-1012 cm-3)를 사용하여 SiCH4, (CH3)3SiC-CSi(CH3)3, [(CH3)3Si]2CH2, [(CH3)3Si]2S, (CH3)3CSi(CH3)2Cl, (CH3)2SiCl2, (CH3)2Si(OC2H5)2, [(CH3)2Si-]n, C2H5SiCl3, (CH3)3SiSi(CH3)3, (CH3)3SiCl, (CH3)3SiOC2H5, (CH3)3SiH, (CH3)3SiCCH, (C5H5)Si(CH3)3, SiF4, COF2, ClF3, C(CF3)2C, CH3F, (CF3)2CO, C2F3N, CF4, NF3, NH3, O2, O3 등을 함유하는 기체 또는 액체를 원료로 Si-C-F-O계 저유전체 박막을 제조하는 방법

3 3

제 2항에 있어 기타 제3의 성분을 첨가하여 Si-C-F-O계 박막을 제조하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.