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(a) 기판을 마련하는 단계;(b) 상기 기판을 열처리 하여 상기 기판의 표면 상에 산화물을 함유하는 확산 방지 층을 형성하는 단계;(c) 상기 확산 방지 층 상에 후면 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 후면 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계;를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (a)단계는,스테인리스 스틸 재질의 기판을 마련하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판의 하면 상에 형성된 확산 방지 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 기판을 600℃ 내지 900℃의 온도를 나타내는 가열로 내에서 열처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계는,FexOy로 이루어지는 확산 방지 층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계는,(c1) 상기 확산 방지 층 상에 흡착 층을 형성하는 단계; 및(c2) 상기 흡착 층 상에 전극 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 (c)단계는,Ar 분위기 하에서 증착을 수행함으로써 Mo으로 이루어지는 후면 전극 층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 (c1)단계는 상기 (c2)단계보다 더 높은 Ar 분압 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (d)단계는,(d1) 상기 후면 전극 층 상에 CIG 전구체 층을 증착하는 단계; 및(d2) 셀렌화 공정을 통해 상기 CIG 전구체 층에 셀렌을 확산시켜 CIGS계 광 흡수 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
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기판;FexOy 성분으로 이루어지는 것으로서, 상기 기판 표면에 형성되는 확산 방지 층;상기 확산 방지 층 상에 형성되는 후면 전극 층; 및상기 후면 전극 층 상에 형성되는 광 흡수 층;을 포함하는 박막 태양전지
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제10항에 있어서,상기 기판은,스테인리스 스틸 재질인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제10항에 있어서,상기 확산 방지 층은,상기 기판의 열처리에 의해 기판 표면에 형성된 산화 막인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제10항에 있어서,상기 후면 전극 층은,상기 확산 방지 층 상에 형성되는 흡착 층; 및상기 흡착 층 상에 형성되는 전극 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제13항에 있어서,상기 전극 층은,상기 흡착 층보다 더 높은 전기 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제13항에 있어서,상기 전극 층은,상기 흡착 층보다 더 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제10항에 있어서상기 후면 전극 층은,Mo 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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제10항에 있어서,상기 광 흡수 층은,CIGS계 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
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