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확산 방지 막을 구비하는 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2015178954
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 태양전지의 제조방법은, (a) 기판을 마련하는 단계; (b) 상기 기판을 열처리 하여 상기 기판의 표면 상에 산화물을 함유하는 확산 방지 층을 형성하는 단계; (c) 상기 확산 방지 층 상에 후면 전극을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 후면 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계; 를 포함한다.본 발명에 따르면, 고온 공정 중에 기판에 함유된 불순물들이 광 흡수 층 내로 확산되는 현상을 방지하기 위해 구비되는 확산 방지막을 간략한 공정을 통해 저비용으로 생산할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020130132198 (2013.11.01)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1501742-0000 (2015.03.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.01)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 심재관 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0996528-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089276-21
4 등록결정서
Decision to grant
2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0118937-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판을 마련하는 단계;(b) 상기 기판을 열처리 하여 상기 기판의 표면 상에 산화물을 함유하는 확산 방지 층을 형성하는 단계;(c) 상기 확산 방지 층 상에 후면 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 후면 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계;를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a)단계는,스테인리스 스틸 재질의 기판을 마련하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판의 하면 상에 형성된 확산 방지 층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 기판을 600℃ 내지 900℃의 온도를 나타내는 가열로 내에서 열처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (b)단계는,FexOy로 이루어지는 확산 방지 층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (c)단계는,(c1) 상기 확산 방지 층 상에 흡착 층을 형성하는 단계; 및(c2) 상기 흡착 층 상에 전극 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (c)단계는,Ar 분위기 하에서 증착을 수행함으로써 Mo으로 이루어지는 후면 전극 층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 (c1)단계는 상기 (c2)단계보다 더 높은 Ar 분압 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 (d)단계는,(d1) 상기 후면 전극 층 상에 CIG 전구체 층을 증착하는 단계; 및(d2) 셀렌화 공정을 통해 상기 CIG 전구체 층에 셀렌을 확산시켜 CIGS계 광 흡수 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
10 10
기판;FexOy 성분으로 이루어지는 것으로서, 상기 기판 표면에 형성되는 확산 방지 층;상기 확산 방지 층 상에 형성되는 후면 전극 층; 및상기 후면 전극 층 상에 형성되는 광 흡수 층;을 포함하는 박막 태양전지
11 11
제10항에 있어서,상기 기판은,스테인리스 스틸 재질인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
12 12
제10항에 있어서,상기 확산 방지 층은,상기 기판의 열처리에 의해 기판 표면에 형성된 산화 막인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
13 13
제10항에 있어서,상기 후면 전극 층은,상기 확산 방지 층 상에 형성되는 흡착 층; 및상기 흡착 층 상에 형성되는 전극 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
14 14
제13항에 있어서,상기 전극 층은,상기 흡착 층보다 더 높은 전기 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
15 15
제13항에 있어서,상기 전극 층은,상기 흡착 층보다 더 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
16 16
제10항에 있어서상기 후면 전극 층은,Mo 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
17 17
제10항에 있어서,상기 광 흡수 층은,CIGS계 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)일진머티리얼즈 호남광역경제권 선도사업 전착법의 CIGS광흡수층 소재 및 이를 이용한 유연 태양전지 기술개발