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금속탄화물 분말을 볼 밀링하여 입자크기가 나노구조를 가지도록 나노 분말화하는 단계(S1) ;
상기 단계(S1)에서의 나노분말에 전류에 의해 발생하는 열을 가하면서 가압성형 및 소결하는 단계(S2) ; 그리고
상기 나노 분말의 수축 길이 변화가 없으면 전류를 차단하고 상기 전류차단 직전까지 가압성형 및 소결 된 나노구조물을 상온으로 냉각하는 단계(S3)를 포함함을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계(S1)에서의 금속탄화물은 티타늄 카바이드(TiC), 텅스텐 카바이드(WC), 실리콘 카바이드(SiC), 탄탈륨 카바이드(TaC), 바나듐 카바이드(VC), 니오비움 카바이드(NbC)로 구성되는 그룹에서 선택되는 1종 이상임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 단계(S1)에서의 금속탄화물의 나노 분말화는 입자크기가 100㎚ 이하가 되도록 하는 것임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계(S2)에서의 가압성형 및 소결은 2~5분간 행함을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계(S2)에서의 전류에 의해 발생하는 열은 유도 전류에 의한 열임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 유도 전류는 1㎑~100㎑의 주파수를 갖는 유도 전류임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계(S2)에서의 전류에 의해 발생하는 열은 펄스전류에 의한 열임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 펄스전류는 주기가 1㎲~1㎳인 펄스전류임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항, 제 5항 제 6항, 제 7항 또는 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열의 가열속도는 100~5000℃/분 임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계(S2)에서의 가압성형은 10~1000㎫의 압력을 가하면서 행하는 것임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계(S2)에서의 가압성형 및 소결은 0
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제 1항에 있어서, 상기 단계(S3)에서의 나노분말의 수축길이 변화관찰은 선형 변위 차동변압기(LVDT)로 행하는 것임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물 제조방법
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제 1항, 2항, 4항, 5항, 6항, 7항, 8항, 10항, 11항, 12항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 나노구조 금속탄화물로서, 상기 금속탄화물은 티타늄 카바이드(TiC), 텅스텐 카바이드(WC), 실리콘 카바이드(SiC), 탄탈륨 카바이드(TaC), 바나듐 카바이드(VC), 니오비움 카바이드(NbC)로 구성되는 그룹에서 선택되는 1종 이상임을 특징으로 하는 나노구조 금속탄화물
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