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고속-고진공 화학증착장치

  • 기술번호 : KST2015178984
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품질의 반도체박막인 Si, SiGe, SiGe:C, SiC, SiGe:Sn, GeSn와 같은 에피결정을 성장하는 고속-고진공 화학증착장치에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명은 고진공하에서 에피택셜층 성장의 균일성을 유지하고 웨이퍼에서 전달되는 열전달을 최소화하는 석영관을 구비한 성장챔버; 상기 성장챔버와 연결되어 에피택셜층 성장이 이루어지는 웨이퍼를 전송하는 이송장치를 포함하는 웨이퍼이송챔버; 상기 웨이퍼전송챔버에 구비되어 상기 웨이퍼를 표면처리하는 표면처리 챔버; 에피층을 저온에서 즉각 산화하여 표면을 보호하는 RAO 챔버; 및 상기 웨이퍼전송챔버에 연결되어 에피택셜층 성장시 외부로부터의 오염을 감소시키고 에피택셜층 성장이 완료된 웨이퍼를 이송시켜 외부로 배출하기 위한 로드락챔버를 포함하여 이루어진 구성으로 하여, 통상의 SiGe MOSFET에서 응력을 제어하는 SiGe, SiGe:C, SiGe:Sn, SiC, GeSn 에피층을 저온에서 선택적으로 성장하고, 산화막 형성시에 발생되는 Ge의 석출에 의한 누설전류의 흐름을 방지하고, 에피택셜층 성장이나 제작공정을 수행할 때 고온에서의 확산을 방지할 수 있도록 하였다. 고속-고진공 화학증착, 석영관, 성장챔버, 에피택셜층 성장, 웨이퍼, 표면처리 챔버, RAO 챔버
Int. CL C23C 16/52 (2018.01.01) C23C 16/48 (2006.01.01) C23C 16/54 (2006.01.01) C23C 16/04 (2006.01.01)
CPC C23C 16/52(2013.01) C23C 16/52(2013.01) C23C 16/52(2013.01) C23C 16/52(2013.01)
출원번호/일자 1020070134731 (2007.12.20)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0066973 (2009.06.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심규환 대한민국 전북 전주시 덕진구
2 최아람 대한민국 전북 전주시 덕진구
3 최상식 대한민국 전북 전주시 완산구
4 양전욱 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김순웅 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호 (구로동,에이스테크노타워*차)(정진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0917067-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0030132-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0316629-35
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0601251-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0601268-17
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0018018-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고진공에서 고속열처리 기능으로 고품위의 반도체 에피택셜층을 성장하는 고속-고진공 화학증착장치장치에 있어서, 에피택셜층 성장이 이루어지는 에피성장 챔버; 에피성장챔버와 부착된 웨이퍼를 전송하는 이송장치를 포함하는 웨이퍼이송챔버; 웨이퍼이송챔버의 측면에 구비되어 상기 웨이퍼의 표면을 처리하는 챔버; 웨이퍼이송챔버의 측면에 구비되어 에피택셜층의 표면 보호를 위한 RAO 챔버; 웨이퍼이송챔버의 측면에 구비되어 웨이퍼를 외부에서 투입하고 배출하기 위한 로드락챔버; 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고속-고진공 화학증착장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 에피성장챔버는 웨이퍼 이송챔버와 연결되어 외부의 공기나 불순물의 진입을 최대한 차단하며, IR램프가 장착되어, 웨이퍼의 온도를 고속으로 제어할 수 있고, UV 램프가 장착되어, 에피층의 표면반응을 제어할 수 있고, 저온에서 고품질의 에피층을 원자층 단위로 정확히 성장할 수 있고, 유전체 마스크를 사용하여 국부적인 표면에 에피층을 자기정렬 방식으로 선택적으로 성장할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 고속-고진공 화학증착장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼이송챔버의 측면에 구비되어 상기 웨이퍼의 표면을 처리하는 챔버로서의 표면처리챔버는 플라즈마와 반응성 가스를 웨이퍼의 표면에 주입하여 웨이퍼의 표면에 존재하는 자연산화막을 제거하고, 표면에 미량 존재하는 불순물을 제거하며, 표면처리후 웨이퍼가 즉각 에피성장 챔버로 이송되도록 하여 결정결함이 없는 고품위의 헤테로 에피층의 성장이 가능하도록 한 것을 특징으로 하는 고속-고진공 화학증착장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼이송챔버의 측면에 구비되어 에피택셜층의 표면 보호를 위한 챔버로서의 RAO챔버에는 IR과 UV램프가 장착되어, 반응성 높은 가스를 웨이퍼의 표면에 노출시켜서 저온에서 보호산화막을 성장할 수 있게 하며, 성장챔버에서 성장된 에피층이 공기에 노출되기 전에 즉시 RAO 챔버에서 보호산화막을 성장하여 순도가 높은 고품질을 유지토록 한 것을 특징으로 하는 고속-고진공 화학증착장치
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패밀리정보가 없습니다
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