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하수 고도처리 장치

  • 기술번호 : KST2015178997
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 노지 배양 방식의 장점인 많은 양의 하수를 처리할 수 있음과 함께 광생물 반응기의 장점인 시스템의 제어가 가능한 하수 고도처리 장치를 제공하는 것이 그 기술적 과제이다. 이를 위해, 본 발명의 하수 고도처리 장치는, 분리판에 의해 적어도 두 개의 반응부로 나뉘어지며 하수를 처리수로 고도처리하기 위해 상기 하수를 배양액과 반응시키는 고도처리조; 상기 하수를 상기 고도처리조로 유입시키는 하수 유입부; 상기 배양액을 상기 고도처리조로 유입시키는 배양액 유입부; 및 상기 하수와 상기 배양액으로부터 배양된 생성물을 상기 고도처리조로부터 배출시키는 생성물 배출부를 포함한다.
Int. CL C02F 1/30 (2006.01) C02F 3/12 (2006.01)
CPC C02F 3/12(2013.01) C02F 3/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130041884 (2013.04.16)
출원인 주식회사 하나테크, (주)원반도체, 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0124301 (2014.10.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 하나테크 대한민국 전라남도 광양시
2 (주)원반도체 대한민국 전라북도 남원시
3 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석연 대한민국 전라남도 순천시 중앙초
2 서황열 대한민국 전라남도 광양시 눈소*길
3 양삼용 대한민국 광주광역시 북구
4 박종현 대한민국 전라북도 전주시 완산구
5 최윤이 대한민국 전라북도 익산시 고봉로**길
6 김대근 대한민국 전라북도 익산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0332035-82
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0041831-54
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0406746-94
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0105603-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0057545-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0293375-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0293374-64
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0486374-82
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0729769-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
분리판에 의해 적어도 두 개의 반응부로 나뉘어지며 하수를 처리수로 고도처리하기 위해 상기 하수를 배양액과 반응시키는 고도처리조;상기 하수를 상기 고도처리조로 유입시키는 하수 유입부;상기 배양액을 상기 고도처리조로 유입시키는 배양액 유입부; 및상기 하수와 상기 배양액으로부터 배양된 생성물을 상기 고도처리조로부터 배출시키는 생성물 배출부를 포함하는 하수 고도처리 장치
2 2
제1항에서,상기 적어도 두 개의 반응부는상기 하수를 처리하기 위해 자연광을 이용하는 제1 반응부; 및상기 분리판에 의해 상기 제1 반응부와 분리되며 인공광을 이용하는 제2 반응부를 포함하는 하수 고도처리 장치
3 3
제2항에서,상기 제1 및 제2 반응부는 상기 분리판에 의해 구획되는 제1 및 제2 반응조를 각각 포함하고,상기 제2 반응조의 깊이는 상기 제1 반응조의 깊이보다 깊으며,상기 제1 반응조의 바닥면 중 상기 제2 반응조에 인접한 부분은 상기 제2 반응조의 바닥면을 향해 경사진 형상을 하는 하수 고도처리 장치
4 4
제3항에서,상기 분리판은상기 제1 반응조와 상기 제2 반응조를 분리하는 분리 몸체;상기 제1 반응조에 있는 상기 하수 및 상기 배양액이 상기 제2 반응조의 하부로 유입되도록 상기 분리 몸체의 하부에 형성되는 하부 개방부; 및상기 제2 반응조로 유입된 상기 하수 및 상기 배양액이 상기 제1 반응조의 상부로 다시 배출되도록 상기 분리 몸체의 상부에 형성되는 상부 개방부를 포함하는 하수 고도처리 장치
5 5
제4항에서,상기 제2 반응부는상기 제2 반응조에 구비되는 적어도 하나의 인공광부; 및상기 제2 반응조의 하부에 구비되되 상기 인공광부 보다 아래에 구비되어 상기 인공광부를 향해 공기를 주입시키기는 공기 주입부를 더 포함하는 하수 고도처리 장치
6 6
제5항에서,상기 적어도 하나의 인공광부 각각은상기 제2 반응조에 가로질러 구비되는 인공광 판;상기 인공광 판의 중심선을 기준으로 상기 인공광 판의 일측에 구비되는 적어도 하나의 발광다이오드를 포함하는 발광다이오드부; 및상기 인공광 판의 중심선을 기준으로 상기 인공광 판의 타측에 형성되는 적어도 하나의 통과홀을 포함하는 통과홀부를 포함하는 하수 고도 처리 장치
7 7
제6항에서,상기 적어도 하나의 인공광부는 제1 및 제2 인공광부를 포함하고,상기 제1 인공광부의 상기 통과홀부와 상기 제2 인공광부의 상기 통과홀부는 상기 중심선을 기준으로 서로 반대측에 위치되어 전체적으로 지그재그 형태의 배치를 갖는 하수 고도처리 장치
8 8
제5항에서,상기 제1 반응조에 유로를 형성하는 유로 형성판이 더 구비되고,상기 유로 형성판의 일단은 상기 고도처리조의 내벽과 떨어져 구비되고, 그 타단은 상기 분리판에 접하는 구비되며,상기 하부 개방부는 상기 유로 형성판을 기준으로 상기 분리판의 일측에 형성되고,상기 상부 개방부는 상기 유로 형성판을 기준으로 상기 분리판의 타측에 형성되는 하수 고도처리 장치
9 9
제8항에서,상기 상부 개방부와 연통된 상기 제1 반응조에는 패들이 회전가능하게 구비되는 하수 고도처리 장치
10 10
제1항에서,상기 배양액은 미세조류 배양액인 하수 고도처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.