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기판 상에 하부 전극층; 제1 도전형 반도체층; 광흡수층; 제2 도전형 반도체층; 및 상호 이격된 복수의 상부 전극;을 포함하는 태양전지로서,상기 상부 전극 사이의 제2 도전형 반도체층 상면에 형성된 요부 내에 위치하는 양자점을 더 포함하며,상기 양자점과 상기 광흡수층이 형광공명에너지 전달을 일으키는 거리에 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층은 각각 n-형 또는 p-형 반도체로서 상호 반대되는 도전 특성을 갖는 결정질 또는 비정질의 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제2항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층은 n-형 비정질 실리콘 재질이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 p-형 비정질 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광흡수층은 진성(intrinsic)의 결정질 또는 비정질 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 양자점과 상기 광흡수층 간의 거리가 10 nm 이내인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 양자점은 CdSe(코어)/ZnS(쉘)의 코어/쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 양자점의 사이즈는 1 내지 10 nm 범위인 것을 특징으로 하는 태양전지
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기판 상에 하부 전극층; 제1 도전형 반도체층; 광흡수층; 제2 도전형 반도체층 및 상부 전극층을 형성하는 단계;상기 상부 전극층을 선택적으로 에칭하여 상호 이격된 복수의 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 복수의 상부 전극 사이의 제2 도전형 반도체층 상면을 에칭하여 요부를 형성하는 단계; 및상기 요부 내에 양자점을 위치시키는 단계;를 포함하며, 상기 양자점과 상기 광흡수층이 형광공명에너지 전달을 일으키는 거리에 있는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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