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반투과 액정 표시 장치에 있어서,한 화소를 반사부와 투과부로 이분하며, 반사부와 투과부의 셀갭을 거의 동일하게 형성하는 것을 특징으로 하며, 반사부는 상대전극 역할을 하는 Plate 형태의 반사판과 다수의 Slit(전극이 남이 있는 부분)과 Bar(전극이 Open되어 없는 부분)의 형태를 띤 투명 화소전극이 절연막을 사이에 두고 반사판 상단에 형성되므로, 전압 인가시 수직방향 필드성분과 수평방향 필드 성분이 같이 공존하므로 프린지 필드를 형성하는 것을 특징으로 하며, 투과부는 Plate 형태의 화소전극이 하부 Array 기판에 형성되며, 상부 기판에는 투과부의 위치에 투명 상대전극이 형성되는 것을 특징으로 하며, 상측 기판 및 하측 기판에 모두 수직 배향막을 코팅하여, 초기 전압 인가전 액정이 수직 방향으로 세워져 있으며, 액정은 음의 유전율 이방성을 가지는 것을 특징으로 한다
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제 1항에 있어서, 셀갭(d) × 액정의 △n의 값이 대략 0
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제 1항에 있어서, 초기 액정의 장축이 상하 기판에 수직하게 세워져 있다가 전압인가시 직교되어 있는 편광판과 45도 혹은 135도 방향으로 눕혀지는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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제 1항에 있어서, 액정의 눕는 방향이 두개의 λ/4 plate의 광축중의 한 축과 일축이 되며, 전압 인가시 투과부의 액정의 눕는 각도가 반사부 대비 대략 2배가 되는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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제 1항에 있어서, 투과부의 액정을 45도 혹은 135도의 각을 가지므로 임의의 편광축과 45도 틀어지게 하는 것을 특징으로 하며, 이를 위해 상측 혹은 하측 혹은 상하측 모두 이 방향으로 러빙등의 배향처리를 하는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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제 6항에 있어서, 러빙방향이 반사부의 전기장에 의해 액정의 눕는 방향과 동일하게 하므로, 반사부 및 투과부의 액정의 눕는 방향을 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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제 1항에 있어서, 각 λ/4 plate의 위상지연치가 대략 0
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제 1항에 있어서, 반사부의 투명화소전극의 Slit(전극층이 남아 있는 부분)과 Bar(전극층이 Open되어 없는 부분)이 임의의 편광축과 45도 혹은 135도의 사잇각을 가지는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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제 8항에 있어서, 반사부의 투명화소전극의 Slit의 폭(w)은 대략 2~10㎛ 사이의 값을 가지도록 하며, Bar의 폭(l)은 대략 3~12㎛ 사이의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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상기 1항에 있어서, 칼라필터측 BM 형성시 Data bus line 및 Gate bus line 영역 뿐만 아니라, 투과부 및 반사부의 경계 영역에 BM차광층을 형성하며, Source 전극과 화소전극이 Contact 되어지는 영역에도 추가적으로 확장된 BM차광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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상기 1항에 있어서, 칼라필터측 BM 형성시 반사영역에 해당하는 Data bus line 상단의 BM을 제거하는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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한 화소를 반사부와 투과부로 이분하며, 반사부와 투과부의 셀갭을 거의 동일하게 형성하며, 반사부는 상대전극 역할을 하는 Plate 형태의 반사판과 다수의 Slit(전극이 남이 있는 부분)과 Bar(전극이 Open되어 없는 부분)의 형태를 띤 투명 화소전극이 절연막을 사이에 두고 반사판 상단에 형성되며, 투과부는 Plate 형태의 화소전극이 하부 Array 기판에 형성되며, 상부 기판에는 투과부의 위치에 투명 상대전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치에 있어서,Gate전극 및 Gate bus line을 형성(1Mask), Gate insulator 적층 및 Active 활성층 형성, Source/Drain전극 및 Data bus line을 형성, 이후 저유전율 유기Resin 적층 및 반사부에는 Embo pattern 형성과 더불어 Embossing위에 형성될 반사판 하단부에 길고 넓게 형성되어 있는 Source 전극과 투명 화소전극과 Contact시키는 영역의 유기 Resin Open시키는 것을 특징으로 하며, 또한 Data pad부 및 Gate pad부, 외부 ESD부등 Gate 혹은 Data 메탈과 투명 화소 전극의 접촉이 필요한 영역의 Resin Open을 Embossing 형성시 같이 형성하는 것을 특징으로 하며, 이후 상대전극 역할을 하는 반사판 형성시, 이들 Contact부의 Resin Open영역에 드러나 있는 메탈이 반사판 형성시 Etchant에 의해 Etch되는 것을 방지하기 위해 반사메탈로 이들 영역을 덮는 것을 특징으로 하며, 이후 절연막 증착 및 Contact부 Via 형성 및 ITO 화소 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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상기 12항에 있어서, 반사판이 Gate bus line의 전부 혹은 일부를 덮고 있으며, TFT소자 및 반사영역에 해당하는 Data bus line을 모두 덮으므로 최대 개구율을 확보하는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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상기 12항에 있어서, 반사판의 하단부에 Source 전극을 길고 넓게 형성하므로, 상대전극과 화소전극 사이의 보조용량 커패시턴스와 더불어 추가적인 보조용량 커패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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한 화소를 반사부와 투과부로 이분하며, 반사부와 투과부의 셀갭을 거의 동일하게 형성하며, 반사부는 상대전극 역할을 하는 Plate 형태의 반사판과 다수의 Slit(전극이 남이 있는 부분)과 Bar(전극이 Open되어 없는 부분)의 형태를 띤 투명 화소전극이 절연막을 사이에 두고 반사판 상단에 형성되며, 투과부도 반사부와 같이 Slit과 Bar를 반사부에서 형성한 각도와 동일하게 형성하되, Slit의 폭은 대략 10㎛이상 60㎛이하의 값을 가지도록 하며, Bar (l: 전극이 Open 되어 없는 부분)의 폭은 대략 3㎛에서 20㎛ 사이의 값을 가지는 것을 특징으로 하며, 또한 칼라필터측의 투명 상대 전극의 Slit과 Bar도 하부의 화소전극과 동일하게 형성하되, 상대전극의 Bar가 화소 전극 Slit의 중심영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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상기 15항에 있어서, 전압 인가시 액정의 눕는 방향을 제어하기 위한 러빙등의 처리를 하지 않는 것을 특징으로 하는 Single Gap 반투과 액정 표시 장치
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