맞춤기술찾기

이전대상기술

그라핀층을 갖는 발광소자와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179064
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예인 발광소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 그라핀 패턴; 상기 기판과 그라핀 패턴 위에 성장된 갈륨나이트라이드층을 포함하며, 상기 기판의 면적 대비 상기 그라핀 패턴이 차지하는 면적이 60 내지 70%인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 구조를 갖는 발광소자는 LED소자 제작 시, 열전도도(thermal conductivity)가 높은 그라핀층을 GaN와 사파이어기판 사이에 형성시켜 LED에서 발생하는 열을 잘 내보낼 수 있게 됨으로써 열방출효율이 증가하고 이로 인한 LED소자의 특성이 향상된다.
Int. CL H01L 33/32 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020130079551 (2013.07.08)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1498688-0000 (2015.02.26)
공개번호/일자 10-2015-0006157 (2015.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.08)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울 영등포구
2 한남 대한민국 전북 전주시 완산구
3 한민 대한민국 전북 전주시 완산구
4 류버들 대한민국 전북 김제시 신곡*
5 강지혜 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0611353-18
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0085127-49
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0678780-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0018732-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0394169-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0749587-65
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0749586-19
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0889174-19
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0046520-18
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0046519-61
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0055265-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 PR패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 그라핀 옥사이드를 어레이하는 단계;상기 PR패턴을 제거하여 그라핀옥사이드 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 형성된 상기 그라핀옥사이드 패턴을 MOCVD 내에서 열처리하여 그라핀 패턴으로 환원시키는 단계 및상기 열처리 후 동일한 MOCVD 내에서 상기 기판과 상기 그라핀 패턴 위에 갈륨나이트라이드를 성장시키는 단계를 포함하는 그라핀층을 갖는 발광소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 열처리가 MOCVD 내에서 온도 1,100℃, 압력 400 mbar, H2 flow 양 9
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.