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나노스트럭쳐가 형성된 기판과 발광소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179076
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노스트럭쳐가 형성된 기판과 발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 광 추출 효율을 보다 향상시킬 수 있는 기판과 이를 구비하는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100093249 (2010.09.27)
출원인 전북대학교산학협력단, 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1283062-0000 (2013.07.01)
공개번호/일자 10-2012-0031703 (2012.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김형구 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
2 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0619398-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089141-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0679723-46
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0977989-38
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0977882-52
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0045976-20
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.17 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0128711-18
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.17 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0128712-64
11 보정요구서
Request for Amendment		 2012.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0014412-70
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0144879-44
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0142210-85
14 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0022634-31
15 보정요구서
Request for Amendment		 2012.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0023981-37
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0194124-19
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0194123-63
18 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0041616-10
19 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0044308-77
20 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0577031-35
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0973963-04
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0973962-58
24 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0290368-42
25 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0472140-17
26 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.05.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0472141-63
27 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0393913-64
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
32 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
33 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
34 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
35 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
36 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
37 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 식각용 마스크패턴을 위한 박막층을 형성하는 단계;상기 박막층을 식각하여 마스크패턴을 형성하는 단계;상기 마스크패턴을 식각마스크로 상기 기판을 1차 식각하는 단계;상기 박막층 상에 ITO 나노스피어를 형성하는 단계; 및상기 ITO 나노스피어를 식각마스크로 상기 기판을 2차 식각하는 단계;를 포함하며,상기 기판의 1차 식각에 의해 상기 기판의 표면에 상호 이격되어 형성된 복수의 패턴이 형성되며,상기 2차 식각에 의해 상기 기판의 패턴 사이에 나노스트럭쳐가 형성되는 기판의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 기판을 2차 식각하는 단계 후에 상기 ITO 나노스피어와 상기 마스크패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.