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다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179078
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 저비용으로 단시간에 간단하게 원하는 크기의 나노와이어를 성장시켜 고결정질의 균일한 p-n 접합 나노와이어 또는 p-n 접합 나노와이어 어레이를 포함하는 다이오드를 제조하는 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/329 (2006.01) H01L 29/861 (2006.01)
CPC H01L 29/66204(2013.01) H01L 29/66204(2013.01) H01L 29/66204(2013.01)
출원번호/일자 1020120133123 (2012.11.22)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0065980 (2014.05.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 박지현 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0965016-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0124512-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0052471-83
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0249234-65
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0567352-78
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0681287-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0681289-30
10 등록결정서
Decision to grant
2018.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0724562-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 금속 촉매와 III족 원소의 합금을 포함하는 드로플렛을 형성하는 단계; 상기 드로플렛에 대해 펄스 성장법으로 740 내지 980℃의 온도 및 400 내지 600torr의 압력 조건 하에서 n형 도펀트로 도핑된 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 n형 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어에 대해 펄스 성장법으로 670 내지 850℃의 온도 및 400 내지 600torr의 압력 조건 하에서 p형 도펀트로 도핑된 III-V 반도체 화합물층을 형성하여 p-n 접합 나노와이어 또는 이를 포함하는 나노와이어 어레이를 제조하는 단계; 그리고 상기 p-n 접합 나노와이어 또는 이를 포함하는 나노와이어 어레이에 대해 금속 접합층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 p-n 접합 나노와이어 또는 이를 포함하는 나노와이어 어레이를 제조하는 단계에서의 온도는 상기 n형 도펀트로 도핑된 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어를 형성하는 단계에서의 온도 보다 높은 것인 다이오드의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 드로플렛 형성 단계는 기판 위에 금속 촉매층을 형성한 후, III족 원소의 전구체를 공급하면서 상기 금속 촉매층이 형성된 기판을 열처리하는 방법에 의해 실시되는 것인 다이오드의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 촉매는 금(Au), 니켈(Ni), 은(Ag), 플래티늄(Pt), 구리(Cu) 및 철(Fe)로 이루어진 군에서 선택되는 것인 다이오드의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 금속 촉매층이 형성된 기판에 대한 열처리는 수소분위기하에 400 내지 700℃의 온도 범위에서 10초 내지 20분 동안 실시되는 것인 다이오드의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 n형 도펀트로 도핑된 III-V족계 반도체 화합물의 나노와이어 형성 단계는 Ⅲ족 및 Ⅴ족 원소의 전구체를 교대로 주입하여 III-V족계 반도체 화합물을 펄스 성장시키는 동안에 n형 도펀트의 전구체를 주입하여 도핑시키는 방법에 의해 실시되는 것인 다이오드의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 p형 도펀트로 도핑된 III-V 반도체 화합물층을 형성하는 단계는 Ⅲ족 및 Ⅴ족의 전구체를 교대로 주입하여 III-V 반도체 화합물층을 펄스 성장시키는 동안에 p형 도펀트의 전구체를 주입하여 도핑시키는 방법에 의해 실시되는 것인 다이오드의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 금속 접합층을 형성하는 단계는 나노와이어들 사이의 빈 공간에 폴리머를 충진하고 경화시켜 폴리머 매트릭스를 형성하고, 상기 폴리머 매트릭스에 대해 p-n 접합 나노와이어가 노출될 때까지 식각액을 이용하여 화학적으로 에칭한 후, 에칭에 의해 노출된 p-n 접합 나노와이어를 덮도록 금속을 증착하여 금속 접합층을 형성하는 공정에 의해 실시되는 것인 다이오드의 제조방법
10 10
제1항에 따른 제조방법에 의해 제조된 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전북대학교 2012 - 지역혁신인력양성사업 고효율/장수명/초저가 백색 LED 소자, package 및 조명용 lamp 제조기술 개발