1 |
1
공정 챔버;상기 공정 챔버 내부에서 웨이퍼를 지지하는 서셉터; 및상기 공정 챔버 내부에 설치되어, 복수개의 구획된 공간을 가지며 상기 공간으로부터 제 1공정가스 또는 캐리어가스를 상기 서셉터를 향해 선택적으로 분사하는 제 1챔버와 하나의 공간을 가지며 제 2공정가스를 상기 공정 챔버 내부로 분사하는 제 2챔버를 구비하는 샤워헤드; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
2 |
2
제 1항에 있어서,상기 제 1챔버는 상기 제 2챔버 상측에 설치되며,상기 제 1챔버 내에는 상기 제 1공정가스 또는 상기 캐리어 가스가 외부로부터 적어도 하나의 제 1공급유로를 통하여 공급되고 수용되는 제 1모듈 및 상기 제 1모듈과 인접하게 설치되어, 상기 제 1공정가스 또는 상기 캐리어 가스가 외부로부터 적어도 하나의 제 2공급유로를 통하여 공급되고 수용되는 제 2모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
3 |
3
제 2항에 있어서,상기 제 1공급유로 또는 제2공급유로 상에는 상기 캐리어 가스의 흐름을 선택적으로 차단할 수 있는 제 1차단 밸브 및 상기 제 1차단 밸브를 통과한 상기 캐리어 가스 또는 상기 제 1공정가스의 흐름을 선택적으로 차단할 수 있는 제 2차단 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
4 |
4
제 3항에 있어서, 상기 제 1챔버는상기 샤워헤드 중심축에서 동일 반경의 원형의 구조를 가지는 제 1모듈; 및 상기 제 1모듈과 인접하게 배치되며, 환형의 구조를 가지는 제 2모듈을 가지는 제 2모듈을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
5 |
5
제 4항에 있어서, 상기 제 1챔버는상기 제 2모듈과 인접하게 배치되고, 환형의 구조를 가지는 제 3모듈을 더 포함하고,상기 제 3모듈은 상기 제 1공정가스 또는 상기 캐리어 가스를 공급하는 복수의 제 3공급유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
6 |
6
제 5항에 있어서,상기 제 3공급유로는 외부로부터 개별적인 유로를 통하여 상기 제 3모듈과 연결되며,상기 제 3공급유로 상에는 상기 캐리어 가스의 흐름을 선택적으로 차단할 수 있는 제 1차단 밸브 및 제 1차단 밸브를 통과한 상기 캐리어 가스 또는 상기 제 1공정가스의 흐름을 선택적으로 차단할 수 있는 제 2차단 밸브를 가지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
7 |
7
제 6항에 있어서,상기 제 1모듈, 제 2모듈 및 제 3모듈에 연결되며,상기 공정가스 또는 상기 캐리어 가스를 상기 공정 챔버 내부로 공급할 수 있는 제 1공급관, 제 2공급관 및 제 3공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
8 |
8
제 7항에 있어서,상기 제 1모듈, 제 2모듈 및 제 3모듈로 각각 상기 공정가스 또는 상기 캐리어 가스의 공급을 선택적으로 조절할 수 있는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
9 |
9
제 7항에 있어서,상기 제 1모듈 내지 제 3모듈은 상기 제 1챔버 중심에서 바깥 방향을 향해 층형 구조로 형성되며,상기 제 1공급관, 상기 제 2공급관 또는 상기 제 3공급관은 상기 각각의 모듈에서 상기 공정 챔버로 공급되는 상기 제 1공정가스 또는 상기 캐리어 가스를 각각의 가스의 종류에 따라 선택적으로 차단하여 가스의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
10 |
10
제 8항에 있어서,상기 제 1챔버 내의 상기 제 1모듈, 제 2모듈 또는 제 3모듈을 통하여 상기 공정 챔버로 공급하는 상기 공정가스는 5족 가스이며,상기 각각의 모듈은 선택적으로 상기 5족 가스의 양 및 속도를 조절하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
11 |
11
제 10항에 있어서,상기 제 1챔버에 의해 상기 공정 챔버로 공급되는 상기 캐리어 가스는 비활성 가스인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
12 |
12
제 11항에 있어서,상기 제 1챔버에 공급되는 상기 비활성 가스는 적어도 하나 이상의 종류를 가지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
13 |
13
제 7항에 있어서,상기 제 2챔버는 상기 제 2공정가스를 상기 공정 챔버 내부로 공급할 수 있는 제 4공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
14 |
14
제 13항에 있어서,상기 제 2공정가스는 3족 가스인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
15 |
15
제 14항에 있어서,상기 제 2챔버의 하측에 설치되고, 상기 제 1공급관 내지 제 4공급관을 통해 이동하는 상기 공정가스 또는 상기 캐리어 가스를 냉각시키는 냉각 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
16 |
16
공정 챔버;상기 공정 챔버 내부에서 웨이퍼를 지지하는 서셉터; 및상기 세셉터 상측에 설치되어, 제 1공정가스 또는 캐리어 가스를 수용하고 상기 서셉터를 향해 분사하는 복수개의 공간이 배치된 제 1챔버; 상기 제 1챔버와 연결되고, 제 2공정가스를 상기 서셉터를 향해 분사하는 제 2챔버; 및상기 제 1챔버와 연결되며, 외부로부터 공급된 상기 제 1공정가스 또는 상기 캐리어 가스를 제어하면서 선택적으로 공급하는 유로를 형성하는 공급유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|
17 |
17
제 16항에 있어서,상기 제 2챔버에서 상기 제 2공정가스를 상기 공정 챔버로 분사하는 영역은 상기 제 1챔버가 상기 제 1공정가스 또는 상기 캐리어 가스를 상기 공정 챔버로 분사하는 영역 이상의 크기이며,상기 제 2공정가스는 선택적으로 제어되면서 상기 서셉터를 향해 분사하는 상기 제 1공정가스 또는 상기 캐리어 가스와 상호 교환이 가능하도록 분사되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치
|