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타이타늄(Ti) 또는 타이타늄 합금을 양극으로 하고,백금(Pt), 텅스텐(W) 및 은(Ag) 중에 선택된 어느 하나를 음극으로 하며,전해질 용액을 이용하여 양극을 산화시킴으로써,타이타늄 또는 타이타늄 합금의 임플란트 표면에 이산화타이타늄(TiO2) 나노튜브를 형성하는 단계; 및상기 표면에 이산화타이타늄 나노튜브가 형성된 임플란트 표면에 비스포스포네이트(bisphosphonates) 계 약물 또는 비스포스포네이트 계 약물과 항생제의 혼합물을 침투시켜 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 양극산화는,정전압, 정전류의 조건 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제2항에 있어서,상기 정전압, 정전류의 조건은,5 내지 50㎃/㎠의 일정한 전류 밀도로 최종전압이 10 내지 50V에 이르도록 하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제3항에 있어서,상기 최종전압은,30분 내지 3시간 동안 지속하도록 하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 타이타늄 합금은, Ti-6Al-4V, Ti-6Al-7Nb, Ti-13Nb-13Zr, Ti-15Mo, Ti-35
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제1항에 있어서,상기 전해질 용액은,글리세롤(glycerol) 또는 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 불화암모늄(NH4F) 및 물(H2O)을 포함하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제6항에 있어서,상기 불화 암모늄(NH4F)은,전체 전해질 용액 중 0
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제6항에 있어서,상기 물(H2O)은,전체 전해질 용액 중 10 내지 50 wt%를 차지하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 비스포스포네이트 계 약물은,Ethane-1-hydroxy-1,1-bisphosphonate (에티드로네이트; etidronate), 3-Amino-1-hydroxy-propylidene bisphosphonate (파미드로네이트; pamidronate), 4-Amino-1-hydroxy-butylidene bisphosphonate (알렌드로네이트; alendronate) 및 1-hydroxy-3-[methyl(pentyl)amino]propane-1,1-diyl}bisphosphonate(이반드로네이트; ibandronate) 중에 선택된 어느 하나로 하는 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제1항에 있어서,상기 항생제는,테트라사이클린(tetracycline), 반코마이신(vancomycin), 아목시실린(amoxicillin) 및 아목시실린과 클라부란산(clavulanic acid)의 혼합물 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 타이타늄 임플란트의 표면처리 방법
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제1항 내지 제10항 중에 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 타이타늄 임플란트
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