| 요약 |
탄소나노튜브는 감긴 형태 및 직경에 따라 금속 또는 반도체의 성질을 가지며, 단중벽 탄소나노튜브(single-walled carbon nanotube, SWNT)와 다중벽 탄소나노튜브(multi-walled carbon nanotube, MWNT)로 나눈다. 특히, 탄소나노튜브는 속이 비어 있고, 길이가 길고, 기계적, 전기적, 화학적 특성이 우수하여 FED(Field Emission Display)와 수소저장용기, 2차 전지 전극 등에 이용이 가능한 재료로 알려져 있다. 그러나, 합성된 탄소나노튜브는 나노튜브 외에 여러 형태의 불순물(플러렌과 나노입자, 흑연, 비정질 탄소 등)을 포함한다. 따라서 전계방출소자나 전지전극등에 응용하기에 앞서 정제가 반드시 필요하다. 본 발명은 나노튜브 정제에 관한 것으로, 탄소성분을 포함하는 나노튜브를 높은 수율로 정제하는 것을 특징으로 하는 기술이다.본 발명은 액상-기상 혼합정제법으로서 SWNT 성장시 촉매로 사용된 전이금속 입자들을 액상법으로 제거하고, 나노튜브 성장 후에 남아 있는 불순 탄소입자들을 기상산화법으로 선택적으로 제거하는 공정으로 구성되어 있다. 본 발명에 의하면 금속 및 불순 탄소입자들을 효과적으로 제거하여 높은 순도의 단중벽 탄소나노튜브를 고수율로 정제할 수 있다. 본 발명은 탄소나노튜브를 제조하는 모든 공정에 적용될 수 있다.단중벽 탄소나노튜브, 액상-기상 혼합정제법, 고순도·고수율 정제, 혼합기체
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