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기판상에 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계;상기 GaN 계열 반도체층 상에 제1반도체층, 활성층, 및 제2반도체층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2반도체층 상에 복수의 금속 나노 도트 마스크를 형성한 후 선택적으로 에칭하여 복수의 GaN 계열 3차원 구조물을 형성하는 단계;상기 복수의 GaN 계열 3차원 구조물 사이에 파티클을 형성하는 단계;상기 금속 나노 도트 마스크를 제거하여 상기 GaN계열 3차원 구조물 상단의 제 2반도체층 표면을 노출시키는 단계;상기 노출된 제2반도체층 표면을 씨드로 하여 제2반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 GaN 계열 3차원 구조물은 마이크로 또는 나노사이즈의 로드 또는 필러(pillar)인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 GaN 계열 3차원 구조물의 높이는 100㎚ 내지 3㎛ 이고, 직경은 50㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 GaN 3차원 구조물의 간격은 100 내지 2㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 파티클의 직경은 50㎚ 내지 1㎛인 SiO2 또는 SiNx인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 3차원 구조물 상단에 형성되는 제1반도체층 또는 제2반도체층을 재성장시키는 단계는 에피탁시 측방과성장(ELOG)법을 사용하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,기판상에 GaN 계열 반도체층을 형성하는 단계는, u-GaN층을 형성하는 단계, 도핑농도가 1×1018㎤ ~1×1020㎤ 인 고농도 n-GaN층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 1반도체층은 도핑농도가 1×1018㎤ 이내인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 제2반도체층을 재성장시키는 단계 후에, 복수의 3차원 구조물 사이의 파티클을 제거하는 단계, 및 상기 고농도 n-GaN계열 3차원 구조물만을 전기화학적 에칭으로 제거하여 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
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