단결정 기판 상에 초전도 특성을 가진 초전도 박막을 형성하는 단계;

상기 초전도 박막 상에 패드막을 형성하는 단계;

상기 패드막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 패드막 및 초전도 박막을 식각하여 상기 포토레지스트 패턴과 동일한 형상의 패드막 패턴 및 초전도 박막 패턴을 형성하는 제 1 건식식각 단계;

상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;

상기 패드막 패턴 및 초전도 박막 패턴을 포함하는 상기 기판 전면에 일렉트로레지스트를 코팅하는 단계;

전자선리소그라피를 통해 상기 패드막 패턴이 노출되도록 상기 일렉트로레지스트내에 소정의 폭을 갖는 홈을 형성하는 단계;

상기 일렉트로레지스트를 식각 마스크로 사용하여 상기 초전도 패턴이 소정 두께로 잔류하도록 상기 패드막 패턴 및 초전도 패턴을 식각하는 제 2 건식식각 단계; 및

상기 잔류하는 초전도 패턴을 이온빔으로 손상시켜 비초전도체로 변성시키는 이온빔 노출 단계;

를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 조셉슨 접합의 제조방법

제 2 항에 있어서,

상기 기판으로 Al2O3 재질을 사용할 때는 기판과 상기 초전도 박막 사이에 버퍼막(Buffer layer)으로 세륨옥사이드(CeO2)을 형성하는 공정이 더 수행되는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 패드막으로 금(Au)막을 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 4 항에 있어서,

상기 패드막은 500 Å 내지 600 Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 초전도 박막은 YBCO(YBa2CuO7-δ), BSCCO(BiSr2CaCu2O8), TBCCO(Tl2Ba2CaCu2O8) 및 HBCCO(HgBa2CaCu2O8) 중에서 어느 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 포토레지스트 패턴은 한쌍의 Y자 형상 패턴의 하측부가 서로 마주보며 대칭을 이루며 일체로 연결된 형상인 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 7 항에 있어서,

상기 Y자 형상의 하측부의 폭은 3 ㎛ 내지 5 ㎛로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 잔류하는 초전도 박막 패턴의 두께는 최초 초전도 박막 두께의 30 ％ 내지 50 ％ 임을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 9 항에 있어서,

상기 최초 초전도 박막은 1,000 Å 내지 1,400 Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 9 항에 있어서,

상기 잔류하는 초전도 박막 패턴의 두께는 300 Å 내지 700 Å로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합방법

제 1 항에 있어서,

상기 일렉트로레지스트(Electroresist)는 모노클로로벤젠(Mono chlorobenzene)에 PMMA(polymethylmethacrylate)를 4 ％ 혼합한 것임을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 홈의 폭은 200 nm 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 건식식각단계, 제 2 건식식각단계 및 이온빔 노출단계에 사용되는 이온빔은 Ar+ 이온빔임을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 14 항에 있어서,

제 15 항에 있어서,

상기 이온빔 노출단계의 이온빔 전류밀도는 상기 제 2 건식식각단계의 이온빔 전류밀도보다 작은 것을 특징으로 하는 상기 조셉슨 접합의 제조방법

제 16 항에 있어서,

상기 제 2 건식식각단계의 이온빔 전류밀도는 0