특정 파장의 광원을 광학렌즈를 통해 광섬유로 집속시켜 도파하고, 상기 광섬유를 도파한 집속 광원을 검사 대상 시료에 조사하여 시료 내의 전자들을 여기시킨 후 광섬유 탐침 전극에 정(+)전압을 인가하여 상기 집속 광원 조사에 의해 여기된 전자들을 상기 전극으로 집속시키는 여기전자 집속과정;

상기 광섬유 탐침 전극 및 검사대상 시료에 도선을 연결하여 상기 집속된 여기전자들을 도선을 따라 움직이게 하고, 상기 도선 상에 코일을 연결하여 코일에 발생되는 자기장을 측정하는 여기전자 측정과정;

상기 여기전자들로부터 측정된 자기장 값을 이용하여 상기 검사 시료내의 결함 존재여부를 판단하는 결함 판단과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 시료 측정방법

제 1항에 있어서, 상기 검사대상 시료에 조사되는 광원은,

검사 대상 시료의 전도대의 도핑준위에 있는 전자들을 여기시키기 위하여, 자외선 파장 영역의 빛을 사용하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 시료 측정방법

제 1항에 있어서, 상기 검사대상 시료에 조사되는 광원은,

광학렌즈를 통해 광섬유로 집속되고, 상기 광섬유를 도파하여 광섬유 탐침을 통해 조사되는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 시료 측정방법

제 1항에 있어서, 상기 여기 전자를 측정하는 수단이,

자기장 측정센서로 이루어진 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 시료 측정방법

제 1항에 있어서, 상기 여기 전자를 측정하는 수단이,

고온 초전도 양자 간섭 소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 시료 측정방법

특정 파장의 광원을 광학렌즈를 통해 광섬유로 집속시키고, 상기 광섬유를 도파한 집속 광원을 반도체 시료에 조사하는 광 조사과정;

상기 집속 광원 조사에 의해 반도체 시료에서 여기되어 나온 전자들을 특정 전극으로 집속시켜, 상기 전자들이 도선을 따라 움직이게 하는 여기전자 집속 및 전류 생성과정;

상기 전자들의 움직임에 따라 생성되는 전류를 자기장으로 변환하여 측정하는 전류 측정과정;

상기 측정된 자기장으로부터 전류량을 계산하여, 반도체 시료의 도핑농도를 산출하는 도핑농도 산출과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 측정방법

제 6항에 있어서, 상기 광 조사과정은,

상기 반도체 시료의 전도대의 도핑준위에 있는 전자들을 여기시키기 위하여, 자외선 파장 영역의 빛을 사용하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 측정방법

제 6항에 있어서, 상기 광 조사과정은,

상기 광학렌즈로 집속된 빛이 도파되는 광섬유의 한 끝단을 당김(pulling)과 식각(etching)에 의해 테이퍼 처리한 광섬유 탐침을 통해 광조사가 이루어지는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 측정방법

제 8항에 있어서, 상기 여기전자 집속과정은,

상기 광섬유 탐침의 개구 부분을 제외한 나머지 부분을 금속으로 코팅 처리한 광섬유 탐침 전극을 통해 여기전자의 집속이 이루어지는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 측정방법

제 9항에 있어서, 상기 전류 생성과정은,

상기 광섬유 탐침 전극과 반도체 시료에 각각 도선을 통해 전압을 인가하여, 상기 광섬유 탐침 전극에 집속된 전자들이 상기 도선을 따라 움직이게 하여 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 측정방법

제 10항에 있어서, 상기 전류 측정과정은,

상기 도선을 따라 흐르는 전류를 자기장으로 변환하여 측정하고, 상기 측정된 자기장으로부터 전류를 환산하여, 상기 여기 전자들에 의해 생성된 전류량을 측정하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 측정방법

제 11항에 있어서, 상기 전류 측정과정은,

고온 초전도 양자 간섭 소자를 사용하여 상기 도선 상의 전류에 의해 형성되는 자기장을 측정하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 측정방법

특정 파장의 광원을 광학렌즈를 통해 광섬유로 집속시키고, 상기 광섬유를 도파한 집속 광원을 반도체 시료의 절연층에 조사하는 광 조사과정;

상기 집속 광원 조사에 의해 반도체 시료에서 여기되어 나온 전자들을 특정 전극으로 집속시켜, 상기 전자들이 도선을 따라 움직이게 하는 여기전자 집속 및 전류 생성과정;

상기 전자들의 움직임에 따라 생성되는 전류를 자기장으로 변환하여 측정하는 전류 측정과정;

상기 측정된 자기장으로부터 전류 유/무를 검출하여, 그 검출결과로 상기 반도체 시료의 절연층에 형성된 미세구멍 유/무를 판단하는 미세구멍 유/무 판단과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 미세구멍 측정방법

제 13항에 있어서, 상기 광 조사과정은,

상기 반도체 시료의 전도대의 도핑준위에 있는 전자들을 여기시키기 위하여, 자외선 파장 영역의 빛을 사용하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 미세구멍 측정방법

제 13항에 있어서, 상기 광 조사과정은,

상기 광학렌즈로 집속된 빛이 도파되는 광섬유의 한 끝단을 당김(pulling)과 식각(etching)에 의해 테이퍼 처리한 광섬유 탐침을 통해 광조사가 이루어지는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 미세구멍 측정방법

제 15항에 있어서, 상기 여기전자 집속과정은,

상기 광섬유 탐침의 개구 부분을 제외한 나머지 부분을 금속으로 코팅 처리한 광섬유 탐침 전극을 통해 여기전자의 집속이 이루어지는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 미세구멍 측정방법

제 16항에 있어서, 상기 전류 생성과정은,

상기 광섬유 탐침 전극과 반도체 시료에 각각 도선을 통해 전압을 인가하여, 상기 광섬유 탐침 전극에 집속된 전자들이 상기 도선을 따라 움직이게 하여 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 미세구멍 측정방법

제 17항에 있어서, 상기 전류 측정과정은,

상기 도선을 따라 흐르는 전류를 자기장으로 변환하여 측정하고, 상기 측정된 자기장으로부터 전류를 환산하여, 상기 여기 전자들에 의해 생성된 전류량을 측정하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 미세구멍 측정방법

제 18항에 있어서, 상기 전류 측정과정은,

고온 초전도 양자 간섭 소자를 사용하여 상기 도선 상의 전류에 의해 형성되는 자기장을 측정하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 미세구멍 측정방법

특정 파장의 광원을 광섬유로 집속시켜 반도체 시료에 조사하는 광 집속 및 조사수단;

상기 집속 광원 조사에 의해 반도체 시료로부터 여기되어 나온 전자들을 특정 전극으로 집속시켜, 상기 전자들이 도선을 따라 움직이게 하여 전류를 생성하는 여기전자 집속 및 전류 생성수단;

상기 여기전자들에 의해 생성되는 전류를 자기장으로 변환하여 측정하는 전류 측정수단;

상기 측정된 전류량으로부터 반도체 시료 내의 도핑농도를 산출하거나 또는 미세구멍 유/무를 판단하는 도핑농도 산출 및 미세구멍 유/무 판단수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 및 미세구멍 측정장치

제 20항에 있어서, 상기 광 집속 및 조사수단은,

반도체 시료의 전도대의 도핑준위에 있는 전자들을 여기시키기 위하여, 자외선 파장 영역의 빛을 사용하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 및 미세구멍 측정장치

제 20항에 있어서, 상기 광 집속 및 조사수단은,

빛을 전달하기 위한 광섬유;

광학 렌즈를 통해 상기 광섬유로 빛을 집속시키는 광집속기;

상기 집속된 빛이 도파되어 나오는 광섬유의 한 끝단을 당김(pulling)과 식각(etching)에 의해 테이퍼 처리하여 형성한 광섬유 탐침을 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 및 미세구멍 측정장치

제 20항에 있어서, 상기 여기전자 집속 및 전류 생성수단은,

제 23항에 있어서, 상기 전류 측정수단은,

상기 광섬유 탐침 금속과 전압 공급원 사이에 연결한 자기장 측정센서로 구성된 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 및 미세구멍 측정장치

제 24항에 있어서, 상기 자기장 측정센서는,

고온 초전도 양자 간섭 소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 광섬유 탐침과 초전도 양자 간섭소자를 이용한 반도체 표면의 도핑농도 및 미세구멍 측정장치