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전형 금속 이온이 산화 아연의 격자 내에 침입 또는 치환되어 있으며, 산화 아연계 나노선(nano-wire) 또는 나노 튜브(nano-tube)의 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 전형 금속은 알칼리 금속 이온, 알칼리 토금속 이온 및 3B족 금속 이온으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체
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제 2항에 있어서, 상기 알칼리 금속은 Li인 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체
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제 2항에 있어서, 상기 알칼리 토금속은 Mg인 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체
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제 2항에 있어서, 3B족 금속은 Al 또는 In인 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체
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제 1항에 있어서, 상기 산화 아연의 격자 내로 침입 또는 치환되는 전형 금속의 양은 산화 아연을 기준으로 0
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산화 아연에 전형 금속 이온을 도핑하는 단계와; 상기 전형 금속이 도핑된 산화 아연을 기상 합성법을 통하여 산화 아연계 나노선(nano-wire) 또는 나노 튜브(nano-tube)의 구조로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체의 제조 방법
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제 7항에 있어서, 상기 전형 금속 이온을 도핑하는 단계는 산화 아연에 전형 금속 질산염을 습식 혼합하여 혼합 분체를 형성하는 단계와; 상기 혼합 분체의 전형 금속 질산염을 열분해하는 단계와; 상기 전형 금속 질산염이 열분해된 혼합 분체를 소결 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 전형 금속이 도핑된 산화 아연을 기상 합성법을 통하여 산화 아연계 나노선(nano-wire) 또는 니노 튜브(nano-tube)의 구조로 형성하는 단계는 상기 전형 금속이 도핑된 산화 아연과 흑연 분체를 혼합하는 단계와; 상기 전형 금속이 도핑된 산화 아연과 흑연 분체의 혼합물을 기상 합성 장치에 장입하는 단계와; 상기 전형 금속이 도핑된 산화 아연을 기상 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체의 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 전형 금속이 도핑된 산화 아연과 흑연 분체는 1:1 내지 10:1의 비율로 혼합 되는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체의 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 기상 합성은 석영 튜브 로에서 800℃ 내지 1200℃에서 10분 내지 3시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체의 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 석영 튜브로 내부를 진공으로 유지함과 동시에 아르곤 가스를 50sccm 내지 5000sccm의 압력으로 흘려보내 주는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체의 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 석영 튜브로 내부를 진공으로 유지함과 동시에 아르곤 가스를 50sccm 내지 5000sccm의 압력으로 흘려보내 주는 것을 특징으로 하는 산화 아연계 나노 구조체의 제조 방법
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