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광전자 소자용 실리콘 박막 구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179283
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체 및 그 제조방법이 개시된다.본 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체는 실리콘 기반층과, 그 실리콘 기반층 위에 형성되며, 광방출을 위한 소정의 희토류 원소가 도핑된 실리카 광방출층으로 이루어진 단위 구조체(실리콘층/도핑된 실리카층)의 다중 적층 구조, 혹은 실리콘 기반층; 실리콘 기반층 위에 형성되며, 실리콘에 의한 방출광의 흡수를 억제하기 위한 비도핑된 하부 실리카 버퍼층; 비도핑된 하부 실리카 버퍼층 위에 형성되며, 광방출을 위한 소정의 희토류 원소가 도핑된 실리카 광방출층; 및 상기 도핑된 실리카 광방출층 위에 형성되며, 실리콘에 의한 방출광의 흡수를 억제하기 위한 비도핑된 상부 실리카 버퍼층;으로 이루어진 단위 구조체(실리콘층/비도핑된 실리카층/도핑된 실리카층/비도핑된 실리카층)의 다중 적층 구조를 갖는다.이와 같은 본 발명에 의하면, 실리콘층/실리카층의 다중 적층 구조를 기본 구조로 하면서, 실리콘층과 어븀이 도핑된 실리카층 사이에 비도핑의 실리카층이 개재되어 있으므로, 전체적인 광방출 효율을 증대시킬 수 있다. 또한, 실리콘/실리카의 다중 적층 구조체에 있어서의 실리카층의 두께가 얇아 전기 전도가 용이한 장점이 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020010009691 (2001.02.26)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0411613-0000 (2003.12.04)
공개번호/일자 10-2002-0069417 (2002.09.04) 문서열기
공고번호/일자 (20031218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.02.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문대원 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0041478-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2002-0022415-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0104277-88
5 의견서
Written Opinion		 2003.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0180687-18
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.05.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0180686-62
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0458196-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
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번호 청구항
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2 2

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3 3

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4 4

실리콘 기반층;

상기 실리콘 기반층 위에 형성되며, 실리콘에 의한 방출광의 흡수를 억제하기 위한 비도핑된 하부 실리카 버퍼층;

상기 비도핑된 하부 실리카 버퍼층 위에 형성되며, 광방출을 위한 소정의 희토류 원소가 도핑된 실리카 광방출층; 및

상기 도핑된 실리카 광방출층 위에 형성되며, 실리콘에 의한 방출광의 흡수를 억제하기 위한 비도핑된 상부 실리카 버퍼층;으로 이루어진 단위 구조체의 다중 적층 구조체로 구성된 것을 특징으로 하는 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체

5 5

제 4항에 있어서,

상기 단위 구조체(실리콘층/비도핑된 실리카층/도핑된 실리카층/비도핑된 실리카층)의 다중 적층 구조체의 최상부의 비도핑된 실리카층 위에 하부 구조체의 보호를 위한 실리콘 캡층이 더 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체

6 6

제 4항에 있어서,

상기 희토류 원소는 어븀인 것을 특징으로 하는 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체

7 7

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8 8

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9 9

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10 10

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11 11

(a) 실리콘 기반층을 형성하는 단계;

(b) 상기 실리콘 기반층 위에 실리콘에 의한 방출광의 흡수를 억제하기 위한 비도핑된 하부 실리카 버퍼층을 적층 형성하는 단계;

(c) 상기 비도핑된 하부 실리카 버퍼층 위에 광방출을 위한 소정의 희토류 원소가 도핑된 실리카 광방출층을 적층 형성하는 단계;

(d) 상기 도핑된 실리카 광방출층 위에 실리콘에 의한 방출광의 흡수를 억제하기 위한 비도핑된 상부 실리카 버퍼층을 적층 형성하는 단계; 및

(e) 상기 단계 (a)로부터 단계 (d)까지의 과정을 순차적으로 복수회 반복 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체의 제조방법

12 12

제 11항에 있어서,

상기 단계 (a)∼단계 (d)까지의 과정을 순차적으로 복수회 반복 수행한 후, 최상층의 비도핑된 실리카 버퍼층 위에 하부 구조체의 보호를 위한 실리콘 캡층을 적층 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체의 제조방법

13 13

제 12항에 있어서,

상기 실리콘 캡층의 증착 후, 박막 구조체의 크랙이나 부서짐을 방지하기 위하여 어닐링 처리하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체의 제조방법

14 14

제 13항에 있어서,

상기 어닐링 처리는 아르곤 가스의 유동 분위기 내에서 600℃의 온도로 20분 동안, 950℃의 온도로 5분 동안, 다시 600℃의 온도로 5분 동안 연속해서 행하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자용 실리콘 박막 구조체의 제조방법

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1 US2002117673 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6483861 US 미국 DOCDBFAMILY
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