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반도체 나노 구조체 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015179318
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게르마늄 구조체의 표면에 게르마늄 나노 구조체를 구비하여 이루어지는 반도체 나노 구조체 및 반도체 기판에 펄스 레이저를 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체 형성방법이 개시된다. 본 발명 방법에서 펄스 레이져로는 피코초 단위 이하 펨토초 단위의 펄스 레이져를 사용하는 것이 바람직하며, 레이져 조사는 14(J/Cm2)이상의 레이져 플루언스(fluence)로 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명 구조체에서 나노 구조체는 대략 구형에 가까운 형상(spherical, hemispherical shape)으로 1 내지 100 나노 미터의 반경으로 이루어진다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040030173 (2004.04.29)
출원인 한국표준과학연구원, (주)바이크로닉스
등록번호/일자 10-0658905-0000 (2006.12.11)
공개번호/일자 10-2005-0104770 (2005.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20061215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
2 (주)바이크로닉스 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정세채 대한민국 대전광역시유성구
2 박명일 대한민국 서울특별시관악구
3 최재혁 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
2 (주)바이크로닉스 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0181958-99
2 보정통지서
Request for Amendment
2004.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0032141-47
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2004.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-5076911-52
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0060621-57
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0602904-24
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2006-0000668-25
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0050264-52
9 의견서
Written Opinion
2006.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0050266-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0298166-71
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0529314-48
13 의견서
Written Opinion
2006.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0529316-39
14 등록결정서
Decision to grant
2006.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0690141-25
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.03 수리 (Accepted) 4-1-2013-0041313-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
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번호 청구항
1 1
게르마늄 기판에 펄스 레이저를 조사하여 1 내지 100 나노미터 크기의 돌기형태를 가지는 게르마늄 나노 구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 펄스 레이져는 펄스 조사 시간이 1 펨토초 내지 10 피코초인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 펄스 레이져는 갈바노 스캐너를 사용하는 레이져 조사 시스템을 통해 상기 게르마늄 기판에 조사되는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 펄스 레이져를 통한 레이져 플루언스는 14J/Cm2이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 게르마늄 기판으로 게르마늄 단결정 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체 형성방법
6 6
게르마늄 구조체의 표면에 구형으로 1 내지 100 나노 미터의 반경으로 이루어지는 게르마늄 나노 구조체 돌기를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체
7 7
제 6 항에 있어서,상기 게르마늄 구조체는 게르마늄 단결정 기판에 형성되며, 용발성 분화구 사이에 존재하여 다공조직의 뼈대를 형성하는 0
8 8
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1 US20050247923 US 미국 FAMILY

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1 US2005247923 US 미국 DOCDBFAMILY
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