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플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치에 있어서, 일측에 게이트 밸브(271)를 통해 로드락 챔버(270)가 장착된 메인챔버(290); 상기 메인챔버(290)의 내측 소정 높이에 가로방향으로 고정설치된 냉각판(260); 상기 메인챔버(290)의 저면 소정위치에 형성된 제 1 밀봉대(292)를 통해 수직이동되는 승강장치(250); 상기 메인챔버(290) 내측에 위치하고 상기 승강장치(250)의 상부에 고정연결된 기판 탑재판(220); 및 상기 기판 탑재판(220) 상부에 구비된 기판홀더(210);를 포함하며, 상기 기판 탑재판(220)의 상부면에는 상기 기판홀더(210)와 반도체 웨이퍼(200)가 순차적으로 탑재되고, 상기 메인챔버(290)의 내측 상단 소정위치에 스퍼터링 타겟(280)이 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 1 항에 있어서, 상기 승강장치(250)는 일측이 밀폐되고 타측이 개봉된 제 1 벨로우즈(254); 상기 제 1 벨로우즈(254)의 밀폐된 일측면 내부에 고정결합된 진공밸브 하우징(256); 상기 진공밸브 하우징(256) 상부에 고정설치되며, 내부에 축상으로 진공경로를 구비한 수직이동대(251); 및 상기 수직이동대(251)의 상부에 고정설치된 상기 기판탑재판(220);을 포함하며, 상기 제 1 벨로우즈(254)의 개봉된 타측은 상기 메인챔버(290) 저면 외부에 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 2 항에 있어서, 상기 진공밸브 하우징(256)은 내부에 진공밸브(255)를 구비하며, 상기 진공밸브(255)는 상기 승강장치(250)의 저면 외측에 구비된 진공밸브 제어장치(257)와 결합되어, 상기 진공경로를 개폐함에 따라 상기 메인챔버(290)와 상기 제 1 벨로우즈(254)의 내부공간 사이의 진공상태를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 승강장치(250)는 상기 제 1 벨로우즈(254) 내외부의 압력차에 의해 수직이동 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 1 항에 있어서, 상기 냉각판(260)은 상기 승강장치(250)가 설치된 지점과 대향하는 위치에 상기 반도체 웨이퍼(200) 형상에 맞추어 구멍이 형성되고, 내부에는 냉매순환관이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 1 항에 있어서, 상기 기판홀더(210)의 직경은 상기 냉각판(260)에 형성된 구멍(262)의 직경보다 크며, 상기 기판홀더 림(212)의 높이는 오목부에 홀딩되는 반도체 웨이퍼(200)의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 밀봉대(292)는 상기 수직이동대(251)를 지지하도록 소정의 길이를 가지며, 상기 제 1 밀봉대(292) 사이의 대향면에 진공밀봉부(253)가 더 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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플라즈마 공정챔버에서의 기판냉각장치에 있어서, 일측에 게이트 밸브를 통해 로드락 챔버가 장착되고, 저면에 적어도 2개의 밀봉대(392,394)가 구비된 메인챔버(390); 상기 메인챔버(390)의 내측 소정 높이에 가로방향으로 고정설치된 냉각판(360); 상기 메인챔버(390)의 저면 일측에 형성된 하나의 밀봉대를 통해 수직이동되는 승강장치(350); 상기 메인챔버(390) 내측에 위치하고, 상기 승강장치(350)의 상부에 고정연결된 기판 탑재판(320); 및 상기 메인챔버(390)의 내측 저면과 상기 냉각판(360) 사이에 회전할 수 있도록 구비되며, 회전판(332)과 중심에 회전축(333)을 구비한 제어회전부(330); 및 상기 제어회전부(330)의 회전판(332)에 형성된 다수의 구멍(331) 위치에 탑재되는 기판홀더(310); 를 포함하며, 상기 기판홀더(310)에는 반도체 웨이퍼(300)가 탑재되고, 상기 메인챔버(390)의 내측 상단 소정위치에 스퍼터링 타겟(380)이 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 8 항에 있어서, 상기 승강장치(350)는 일측이 밀폐되고 타측이 개봉된 제 1 벨로우즈(354); 상기 제 1 벨로우즈(354)의 밀폐된 일측면 내부에 고정결합된 진공밸브 하우징(356); 상기 진공밸브 하우징(356) 상부에 고정설치되며, 내부에 축상으로 진공경로를 구비한 수직이동대(351); 및 상기 수직이동대(351)의 상부에 고정설치된 상기 기판탑재판(320);을 포함하며, 상기 제 1 벨로우즈(354)의 개봉된 타측은 상기 메인챔버(390) 저면 외부에 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 9 항에 있어서, 상기 진공밸브 하우징(356)은 내부에 진공밸브를 구비하며, 상기 진공밸브는 상기 승강장치(350)의 저면 외측에 구비된 진공밸브 제어장치와 결합되어, 상기 진공경로를 개폐함에 따라 상기 메인챔버(390)와 상기 제 1 벨로우즈(354)의 내부공간 사이의 진공상태를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 8 항에 있어서, 상기 승강장치(350)는 상기 제 1 벨로우즈(354) 내외부의 압력차에 의해 수직이동 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 8 항에 있어서, 상기 제어회전부(330)의 회전판(332)에 형성된 구멍(331)의 직경은 상기 기판탑재판(320)의 직경보다는 크고 탑재되는 기판홀더(310)의 직경보다는 작은 직경으로 구성되며, 상기 제어회전부(330)의 중심 회전축(333)은 상기 메인챔버(390)의 저면에 형성된 다른 하나의 밀봉대(394)를 통해 외부회전장치와 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 8 항에 있어서, 상기 냉각판(360)은 상기 승강장치(350)가 설치된 지점과 대향하는 위치에 상기 반도체 웨이퍼(300) 형상에 맞추어 소정 직경의 구멍(362)이 형성되고, 내부에는 냉매가 순환되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 8 항에 있어서, 상기 기판홀더(310)의 직경은 상기 냉각판(360)에 형성된 구멍(362)의 직경보다 크며, 상기 기판홀더 림의 높이는 오목부에 홀딩되는 반도체 웨이퍼(300)의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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제 8 항에 있어서, 상기 밀봉대(392,394)는 상기 제어회전부(330)의 중심 회전축(333)과 상기 수직이동대(351)를 각각 지지하도록 소정의 길이를 가지며, 각 밀봉대(392,394) 사이의 대향면에 진공밀봉부(353,340)가 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각장치
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플라즈마 공정챔버에서의 기판냉각방법에 있어서, 반도체 웨이퍼(200)를 기판홀더(210)에 탑재하여 고정한 후 로드락 챔버(270)내로 삽입하는 단계; 상기 기판홀더(210)가 메인챔버(290)내로 로드되어 기판탑재판(220)에 탑재되는 단계; 미리 설정된 온도로 유지된 냉각판(260) 내부에 외부 냉방장치를 이용하여 냉매를 순환시키는 단계; 상기 메인챔버(290) 및 제 1 벨로우즈(254) 내부공간을 진공처리하는 단계; 상기 제 1 벨로우즈(254) 내외부의 압력차를 이용하여 승강장치(250)를 연직방향으로 수직이동하는 단계; 상기 기판탑재판(220)에 탑재된 반도체 웨이퍼(200)를 홀딩한 상기 기판홀더(210)를 상기 냉각판(260)에 밀착접촉시키는 단계; 플라즈마 공정이 반도체 웨이퍼(200)에 실행되는 단계; 냉각판(260) 내부의 냉매순환장치내에서 순차적으로 열교환이 이루어지는 단계; 반도체 웨이퍼(200)가 냉각된 후 상기 제 1 벨로우즈(254)내에 기체를 첨가하여 제 1 벨로우즈(254) 내외부의 압력차를 해소시키는 단계; 및 상기 승강장치(250)가 하방이동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각방법
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플라즈마 공정챔버에서의 기판냉각방법에 있어서, 반도체 웨이퍼(300)를 기판홀더(310)에 탑재하여 고정한 후 로드락 챔버내로 삽입하는 단계; 다수개의 기판홀더(310)가 메인챔버(390)내로 로드되어 기판 회전판(332)에 탑재되는 단계; 미리 설정된 온도로 유지된 냉각판(360) 내부에 외부 냉방장치를 이용하여 냉매를 순환시키는 단계; 제어회전부(330)를 회전시켜 반도체웨이퍼(300)를 스퍼터링 타겟(380)에 대향하도록 위치시키는 단계; 메인챔버(390) 및 제 1 벨로우즈(354) 내부공간을 진공처리하는 단계; 상기 제 1 벨로우즈(354) 내외부의 압력차를 이용하여 승강장치(350)를 연직방향으로 수직이동하는 단계; 기판탑재판(320)에 탑재된 반도체 웨이퍼(300)를 홀딩한 기판홀더(310)를 상기 냉각판(360)에 밀착접촉시키는 단계; 플라즈마 공정이 각각의 반도체 웨이퍼(300)에 순차적으로 실행되는 단계; 상기 냉각판(360) 내부의 냉매순환장치내에서 순차적으로 열교환이 이루어지는 단계; 반도체 웨이퍼(300)가 냉각된 후 상기 제 1 벨로우즈(354)내에 기체를 첨가하여 제 1 벨로우즈(354) 내외부의 압력차를 해소시키는 단계; 및 상기 승강장치(350)의 하방이동에 의해 상기 기판홀더(310)가 기판 회전판(332) 위로 이동되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각방법
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제 17 항에 있어서, 상기 제 1 벨로우즈(354) 내외부의 압력차를 제어할 수 있도록, 상기 제 1 벨로우즈(354)의 내부로부터 외부까지 안내된 벤팅튜브(258) 말단에 벤팅밸브(259)를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각방법
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제 18 항에 있어서, 상기 밴팅밸브(259)를 통해 상기 제 1 벨로우즈(354)내에 첨가되는 기체는 N2 또는 Ar 기체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각방법
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제 18 항에 있어서, 상기 밴팅밸브(259)를 통해 상기 제 1 벨로우즈(354)내에 첨가되는 기체는 N2 또는 Ar 기체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정챔버의 기판냉각방법
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