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교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합열전변환기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179325
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합 열전변환기 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 뒷면의 소정부분을 식각하여 소정의 깊이만큼 파낸 구조로 형성된 실리콘 기판(10); 기판(10)상에 적어도 상기 파낸부분을 덮으면서 소정의 두께로 증착된 제 1의 Si3N4층(91); 제 1의 Si3N4층(91) 상에 소정두께로 증착된 SiO2층(92); SiO2층(92) 상에 소정두께로 증착된 제 2의 Si3N4층(94); 제 2의 Si3N4층(94)으로 형성된 인장성 응력과 압축성 응력의 균형으로 응력이 미소한 샌드위치 구조의 멤브레인 위에 증착된 적어도 2개 이상의 동(Cu)-콘스탄탄(CuNi44)으로 이루어진 열전대 접합(50, 60); 및 복수의 열전대 접합(50, 60)을 가로지르는 방향으로 증착된 히터(40);가 제공된다. 평면형, 다중접합, 열전변환기, 열전대, 히터, 열접합, 냉접합, 멤브레인, 증착, 스퍼터링, 이방성식각, 교류-직류 전류변환차이, 교류-직류 전압변환차이
Int. CL H01L 35/00 (2006.01)
CPC H01L 35/14(2013.01) H01L 35/14(2013.01)
출원번호/일자 1020040097089 (2004.11.24)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0684268-0000 (2007.02.12)
공개번호/일자 10-2006-0057896 (2006.05.29) 문서열기
공고번호/일자 (20070220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권성원 대한민국 대전광역시 유성구
2 박세일 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0551264-45
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0561065-45
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.05.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0032272-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0293283-43
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0527420-33
8 의견서
Written Opinion		 2006.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0525159-74
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0701024-40
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
뒷면의 소정부분을 식각하여 파낸구조로 형성된 실리콘 기판(10);상기 기판(10)상에 적어도 상기 파낸 부분을 덮으면서 증착된 제 1의 Si3N4층(91);상기 제 1의 Si3N4층(91) 상에 증착된 SiO2층(92);상기 SiO2층(92) 상에 증착된 제 2의 Si3N4층(94);상기 제 2의 Si3N4층(94)상에 증착된 적어도 2개 이상의 동-콘스탄탄(Cu-CuNi44)으로 이루어진 열전대 접합(50, 60); 및상기 복수의 열전대 접합(50, 60)을 가로지르는 방향으로 증착된 히터(40);로 구성되는 것을 특징으로 하는 교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합 열전변환기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 2의 Si3N4층(91, 94)의 각 두께는 200 nm이고, 상기 SiO2층(92)의 두께는 400 nm 로 하여 인장성 응력과 압축성 응력이 균형을 이루는 샌드위치 구조의 멤브레인을 갖는 것을 특징으로 하는 교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합 열전변환기
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 열전대 접합(50, 60)은 48∼156개의 열접합을 형성하며, 상기 열전대 접합(50, 60)의 냉접합은 상기 실리콘 기판(10) 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합 열전변환기
4 4
실리콘 기판(10)을 준비하는 단계(S10);상기 실리콘 기판(10)상에 제 1의 Si3N4(91)을 증착하는 단계(S12);상기 제 1의 Si3N4(91)상에 SiO2(92)를 증착하는 단계(S14);상기 SiO2(92)층 상에 제 2의 Si3N4(94)을 증착하는 단계(S16);상기 제 2의 Si3N4(94)상에 NiCr 히터(40)로 스퍼터링 하는 단계(S18);상기 히터(40) 위에 SiO2 절연층을 증착하는 단계(S20);상기 S20단계의 SiO2 절연층상에 열전대의 Cu(50)를 스퍼터링하고(S22), CuNi44(60)를 스퍼터링하는 단계(S24); 및상기 열전대의 둘레에 접촉패드(70)를 열증착하는 단계(S26);로 구성되는 것을 특징으로 하는 교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합 열전변환기의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 히터(40)는 바이필라(bifilar) 또는 직선형 구조인 것을 특징으로 하는 교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합 열전변환기의 제조방법
6 5
제 4 항에 있어서, 상기 히터(40)는 바이필라(bifilar) 또는 직선형 구조인 것을 특징으로 하는 교류전압 및 전류를 정밀측정하기 위한 평면형 다중접합 열전변환기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.