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미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015179345
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 cMUT의 제조방법에 있어서, 실리콘 질화막이 형성된 반도체 기판상에 하부전극을 형성하는 단계, 에어갭층을 형성하기 위하여 상기 하부전극의 상부에 희생층을 고분자 물질로 형성하는 단계, 상기 희생층의 상부에 진동막을 증착하는 단계, 상기 진동막을 평탄화하는 단계, 평탄화된 상기 진동막의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계, 상기 상부 전극이 형성된 상기 진동막에 에치홀을 형성하는 단계 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하여, 희생층의 증착 및 제거공정을 용이하게 하고, 기판에 작용하는 스트레스를 최소화하여 구조물의 휨 현상이나 무너지는 현상을 방지하고 이로 인해 향후, cMUT 소자의 구동특성을 향상시킨다.또한, 본 발명은 cMUT의 진동막 평탄화 공정에 있어서, 상기 진동막을 평탄화하는 단계는, 진동막이 형성된 반도체 기판의 상부에 식각 정지점을 형성하는 단계, 상기 식각 정지점을 포함한 반도체 기판의 상부에 제 2 실리콘 질화막을 증착하는 단계, 상기 반도체 기판 표면의 단차를 제거하기 위하여 SOP를 증착하는 단계, 상기 식각 정지점까지 상기 제 2 실리콘 질화막과 상기 SOP를 식각하여 평탄한 진동막을 형성하는 단계를 포함하여 cMUT의 감도를 향상시킬 수 있다.미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자(cMUT), 희생층, 폴리이미드, SOP
Int. CL H01L 21/66 (2000.01) H01L 21/02 (2000.01)
CPC G01N 29/2406(2013.01)
출원번호/일자 1020050096736 (2005.10.13)
출원인 한국표준과학연구원, 이홍기
등록번호/일자 10-0723909-0000 (2007.05.25)
공개번호/일자 10-2007-0041044 (2007.04.18) 문서열기
공고번호/일자 (20070531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
2 이홍기 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안봉영 대한민국 대전 유성구
2 김기복 대한민국 대전 유성구
3 박해원 대한민국 대전 서구
4 곽용석 대한민국 경기 시흥시
5 강태영 대한민국 서울 강서구
6 이홍기 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이홍기 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0579929-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0052568-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0538583-60
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0843835-01
7 의견서
Written Opinion		 2006.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0843778-96
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0110125-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 질화막이 형성된 반도체 기판상에 하부전극을 형성하는 단계;에어갭층을 형성하기 위하여 상기 하부전극의 상부에 희생층을 고분자 물질로 형성하는 단계;상기 희생층의 상부에 진동막을 증착하는 단계;진동막이 형성된 상기 반도체 기판의 상부에 식각 정지점을 형성하는 단계;상기 식각 정지점을 포함한 반도체 기판의 상부에 제2 실리콘 질화막을 증착하는 단계;상기 반도체 기판 표면의 단차를 제거하기 위하여 SOP를 증착하는 단계;상기 식각 정지점까지 상기 제2실리콘 질화막과 상기 SOP를 식각하여 평탄한 진동막을 형성하는 단계;평탄화된 상기 진동막의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계;상기 상부 전극이 형성된 상기 진동막에 에치홀을 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극의 누설전류를 방지하기 위해 상기 하부 전극의 상부에 아이솔레이션층을 형성하는 단계 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리이미드임을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 고분자 물질은 스핀 코터를 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 SOP는 스핀 코터를 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 2 실리콘 질화막과 SOP의 식각 선택비는 1:1인 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 2 실리콘 질화막과 상기 SOP의 식각은 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 건식 식각은 유도결합플라즈마장비를 이용하는 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 진동막에 형성하는 에치홀은 희생층이 존재하는 영역에 복수개로 구비하는 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 희생층을 제거하는 단계는 마이크로웨이브 에싱장비를 사용하여 산소 플라즈마로 제거하는 것을 특징으로 하는 미세가공 정전용량형 초음파 탐촉자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.