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고활성화된 아톰 소스를 이용한 박막 형성 방법 및 그 박막

  • 기술번호 : KST2015179346
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체와 같은 소자에 쓰이는 여러 박막 제조 방법에 관한 것으로 특히 고활성화된 아톰 소스를 이용한 산화막이나 질화막을 형성하는 방법을 제공한다. 이러한 고활성화된 아톰 소스를 이용한 박막 형성 방법은 박막 형성 과정 중에 아톰 소스를 이용한 것과 박막을 형성한 후에 후속 공정을 통해 박막의 특성을 변화시키는 것을 모두 포함한다. 또한 산화막이나 질화막에 적용함으로써, 박막 전체에서부터 표면 부근 만의 산화와 질화를 통해서 후속 공정에서 방생할 수 있는 계면막의 형성을 억제함으로써 계면 특성과 박막 특성을 개선시키고 더욱이 반도체 소자 누설 전류의 감소, 확산 방지의 효과를 볼 수 있다. 이에 따라 소자의 성능이 개선되어 수율의 향상, 신뢰성 확보와 생산비 절감의 효과도 가져올 수 있다.박막, 증착, 아톰소스, CVD, MOCVD, ALD
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01)
출원번호/일자 1020050079766 (2005.08.30)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0724096-0000 (2007.05.25)
공개번호/일자 10-2007-0027888 (2007.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20070604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조만호 대한민국 대전 서구
2 정권범 대한민국 경기 용인시
3 고대홍 대한민국 경기 고양시 일산구
4 황정남 대한민국 서울 성동구
5 문대원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0482437-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.02.15 수리 (Accepted) 4-1-2006-5019752-35
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0575497-43
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0886823-05
5 의견서
Written Opinion		 2006.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0886790-86
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0220210-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 실리콘 산화막(SiOx), 메탈(M), 메탈 산화막(MxOy), 메탈 실리케이트 박막(M1-xSixO2) 중 하나 이상의 박막을 형성하는 단계에 있어서,손상이 없고, 소정의 피복율과 균일성을 만족하는 박막을 얻기 위하여 고활성화된 아톰 소스를 조사하는 단계를 포함하고, 그리고상기 아톰 소스 조사단계에는 N2, O2, NH3, NO 중 하나 이상의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 고활성화된 아톰 소스를 이용한 박막 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
챔버내의 기판 상에 ALD, CVD, MOCVD 중 하나 이상의 소스를 주입하는 단계;고활성화된 아톰 소스를 조사하여 산화막 또는 질화막을 성막하는 단계; 손상이 없고, 소정의 피복율과 균일성을 만족하는 박막이 얻어졌는지를 판단하는 단계; 및상기 판단결과에 기초하여, 만약 만족할 수 있는 박막성질이 아닌 경우 상기 주입단계로 피드백하는 단계;를 포함하고,상기 아톰 소스를 조사하여 성막된 막은 원자층 증착 기술, 화학 기상 증착 기술, 유기 금속 화학 기상 증착 기술, 반응성 스퍼터링 기술중 하나를 사용하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 고활성화된 아톰 소스를 이용한 박막 형성 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항 또는 제 4 항에 의한 박막 형성 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 고활성화된 아톰 소스를 이용한 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.