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강유전성 나노구조체와 반도체 나노와이어를 포함하여 구성되며, 상기 강유전성 나노구조체에 형성되는 분극을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 상기 강유전성 나노구조체와 교차접합을 이루거나 상기 강유전성 나노구조체로부터 전기장으로 유도될 수 있는 거리에 위치하는 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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제 1 항에 있어서,강유전성 나노구조체는 나노입자, 나노로드 및 나노와이어로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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제 3 항에 있어서,상기 강유전성 나노구조체는 티탄산바륨의 페로브스카이트(perovskite) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 실리콘 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 형성된 분극은 상기 반도체 나노와이어의 전도도를 측정하여 감지하는 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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7
제 2 항에 있어서,기판의 상에 형성되는 강유전성 나노구조체;상기 강유전성 나노구조체 상에 교차 접합된 반도체 나노와이어; 및상기 반도체 나노와이어의 양 말단에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하며, 기판에 게이트 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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8
제 2 항에 있어서,기판 상에 형성되는 반도체 나노와이어;상기 반도체 나노와이어의 양 말단에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 반도체 나노와이어 상에 교차 접합된 강유전성 나노구조체; 상기 반도체 나노와이어 및 강유전성 나노구조체 상에 형성되는 절연층; 및상기 절연층 상에 위치하는 게이트 전극;을 포함하는 나노전자소자
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9
제 2 항에 있어서,기판 상에 서로 인접하게 형성되는 반도체 나노와이어 및 강유전성 나노구조체;상기 반도체 나노와이어의 양 말단에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 강유전성 나노구조체에 분극을 유도할 수 있는 위치에 형성된 게이트 전극;을 포함하는 나노전자소자
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10
제 7 항 내지 제 9항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 패턴이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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11
제 7 항 내지 제 9항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 기판 상부에 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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12
제 7 항 내지 제 9항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 와이어는 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노전자소자
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a) 기판 상에 강유전성 나노구조체를 형성시키는 단계; b) 상기 강유전성 나노구조체 상에 반도체 나노와이어를 교차접합되도록 형성하는 단계; 및c) 상기 반도체 나노와이어의 양 말단에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하며 기판에 게이트 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 나노전자소자의 제조방법
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d) 기판 상에 반도체 나노와이어를 형성하고, 상기 반도체 나노와이어의 양 말단에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계;e) 상기 반도체 나노와이어 상에 강유전성 나노구조체를 교차접합하여 형성하는 단계; f) 상기 반도체 나노와이어 및 강유전성 나노구조체 상에 절연층을 형성하는 단계; 및g) 상기 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 나노전자소자의 제조방법
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h) 기판 상에 강유전성 나노구조체 및 반도체 나노와이어를 인접하여 형성하는 단계;i) 상기 반도체 와이어의 양 말단에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및j) 상기 강유전성 나노구조체에 분극을 유도할 수 있는 위치에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 나노전자소자의 제조방법
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제 13항 내지 제 15항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 나노와이어는 패터닝 방법에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노전자소자의 제조방법
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