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입자빔(particle beam)을 이용한 나노 크기 물질(nanometer-scale material)의 변형 방법으로서,상기 나노 크기 물질에 입자빔을 조사하여 상기 나노 크기 물질을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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제 1항에 있어서,상기 입자빔은 중성자 빔(neutron beam), 양성자 빔(proton beam), 중성 원자빔(neutral atom beam) 또는 이온빔(ion beam)인 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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제 2항에 있어서, 상기 중성 원자는 헬륨(He), 붕소(B), 네온(Ne), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 인(P), 염소(Cl), 알곤(Ar), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 크립톤(Kr), 인듐(In), 크세논(Xe), 금(Au) 및 백금(Pt) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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제 2항에 있어서,상기 이온은 헬륨(He), 붕소(B), 네온(Ne), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 인(P), 염소(Cl), 알곤(Ar), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 크립톤(Kr), 인듐(In), 크세논(Xe), 금(Au) 및 백금(Pt) 이온 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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제 2항에 있어서,상기 입자빔이 조사되는 부분의 상기 나노 크기 물질의 두께(thickness) 또는 직경(diameter)은 200nm이하인 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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제 2항에 있어서,상기 나노 크기 물질은 도체(conductor), 반도체(semiconductor) 및 부도체(insulator) 중 어느 하나에 속하는 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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제 2항에 있어서, 상기 나노 크기 물질의 형태는 바(bar) 또는 돌출부를 갖는 것인 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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제 7항에 있어서,상기 바 또는 돌출부의 일정 부분을 마스크로 가린 후 상기 입자빔을 조사하여 상기 마스크 외부로 노출된 부분을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 하는,입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법
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CD-SPM 탐침으로서,상기 탐침의 돌출부의 일정 부분을 마스크로 가린 후 입자빔을 조사하여 상기 마스크 외부로 노출된 부분을 상기 입자빔의 방향으로 휘도록 한 것을 특징으로 하는, CD-SPM 탐침
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삭제
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나노 훅으로서,상기 나노 훅을 이루는 돌출부의 일정 부분을 마스크로 가리고 입자빔을 연속적으로 조사하여 상기 마스크 외부로 노출된 부분을 상기 입자빔의 방향으로 차례로 휘도록 한 것을 특징으로 하는,나노 훅
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