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전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩

  • 기술번호 : KST2015179391
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집적 회로부(12)에서 발생한 열을 방열 장치(20)로 효과적으로 전달하여, 반도체 칩을 효과적으로 냉각할 수 있는 반도체 칩을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 반도체 단결정 기판(11), 단결정 기판(11)의 일면에 형성된 집적 회로부(12), 반도체에 불순물이 도핑되어 단결정 기판(11)의 타면에 형성된 도핑층(13), 및 도핑층(13) 상에 부착되는 금속층(14)을 포함하는 반도체 칩을 제공한다. 반도체 단결정 기판(11)으로부터 도핑층(13)으로 격자 진동에 의해 열이 전달되고, 도핑층(13) 내부에서 격자 진동 운동이 일부 전자 이동 운동으로 전환되며, 도핑층(13)으로부터 금속층(14)을 통해 방열 장치(20)로 전자 이동에 의해 열이 전달되기 때문에, 열전달이 빨리 이루어질 수 있다.반도체칩, 도핑, 열전달, 격자진동, 전자이동
Int. CL H01L 23/36 (2006.01) H01L 23/34 (2006.01)
CPC H01L 23/3735(2013.01) H01L 23/3735(2013.01) H01L 23/3735(2013.01) H01L 23/3735(2013.01)
출원번호/일자 1020060116054 (2006.11.22)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0798474-0000 (2008.01.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연욱 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김문종 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)
2 손은진 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0858262-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0069562-85
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0614701-68
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 단결정 기판(11);상기 단결정 기판(11)의 일면에 형성된 집적 회로부(12);반도체에 불순물이 도핑되어 상기 단결정 기판(11)의 타면에 형성된 도핑층(13); 및상기 도핑층(13) 상에 부착되는 금속층(14);을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
2 2
제 1 항에 있어서,상기 단결정 기판(11)은 실리콘, 갈륨비소 또는 사파이어로 제작되는 것을 특징으로 하는 전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
3 3
제 1 항에 있어서,상기 도핑층(13)은 확산법 또는 이온 임플란트법에 의해 상기 단결정 기판(11)의 타면에 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속층(14)은 귀금속으로 제작되는 것을 특징으로 하는 전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속층(14)은 증착법에 의해 상기 도핑층(13) 상에 부착되는 것을 특징으로 하는 전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
6 6
제 1 항에 있어서,금속으로 형성되고, 상기 금속층(14) 상에 밀착되며, 상기 반도체 칩이 부착되는 패키지부(40)에 부착되어 고정되는, 히트 스프레더(15)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
7 7
제 6 항에 있어서,상기 금속층(14) 및 상기 히트 스프레더(15)는 열전도성 그리스에 의해 밀착되는 것을 특징으로 하는 전도성 도핑층과 금속층을 갖는 반도체 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.