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비휘발성 반도체 메모리소자인 PRAM 소자에 있어서,적어도 한층이 적층된 상변화층인 칼코겐 화합물 박막층(2); 및상기 칼코겐 화합물 박막층(2)과 교대로 증착된 산화막(3);으로 형성된 다층박막구조(1)로 구성된 것을 특징으로 하는 칼코겐 화합물과 산화막의 다층박막구조의 개선된 PRAM 소자
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 박막층(2)은 GeSbTe 합금을 포함한 4족, 5족, 6족 원소로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코겐 화합물과 산화막의 다층박막구조의 개선된 PRAM 소자
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제 1 항에 있어서,상기 산화막(3)은 SiO2를 포함한 고유전율 산화막인 것을 특징으로 하는 칼코겐 화합물과 산화막의 다층박막구조의 개선된 PRAM 소자
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적어도 한층이 상변화층인 칼코겐 화합물 박막층(2)을 적층하는 단계;상기 적층된 칼코겐 화합물 박막층(2)에 산화막(3)을 교대로 증착시켜 다층박막구조(1)를 형성하는 단계;상기 칼코겐 화합물 박막층(2)과 상기 산화막(3)의 두께비율, 적층순서, 및 적층횟수를 조절하는 단계; 및상기 다층박막구조(1)의 상변화시 온도에 따른 저항값이 소정 값으로 변화되었는지 여부를 확인하는 단계;로 구성된 것을 특징으로 하는 칼코겐 화합물과 산화막의 다층박막구조의 개선된 PRAM 소자 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 박막층(2)은 GeSbTe 합금을 포함한 4족, 5족, 6족 원소로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼코겐 화합물과 산화막의 다층박막구조의 개선된 PRAM 소자 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 산화막(3)은 SiO2를 포함한 고유전율 산화막인 것을 특징으로 하는 칼코겐 화합물과 산화막의 다층박막구조의 개선된 PRAM 소자 제조방법
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제 4 항의 PRAM 소자 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 칼코겐 화합물의 나노스케일 구조체
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