| 요약 |
실리콘기판 상에 형성된 실리콘화합물 박막두께 측정용 연 엑스선 반사장치에 관한 것이다. 전자빔을 W, Re,Os 타겟(target)에 입사하여 발생한 강한 특이 M-선(characteristic M-line)들은 Si K-edge 흡수선에 근접하고 있다. 분광기를 이용하여 상기의 선들을 Si K-edge 흡수선 근처의 특정 에너지를 선택하여 반사에 사용함으로써 공명 현상으로 보다 선명한 간섭무늬 측정이 가능하다. 이를 위한 본 발명에 의한 실리콘기판 상에 형성된 실리콘화합물 박막두께 측정용 연 엑스선 반사장치는 입사된 전자빔(110)을 X-선(121)으로 변환시키며 W, Re, Os 로부터 선택되는 어느 하나 이상으로 되거나, 어느 하나 이상의 화합물로 코팅되는 타겟(120)과, 상기 타겟(120)에 의해 변환된 X-선(121)이 반사되어 실리콘 화합물이 위에 형성된 실리콘기판인 시료(1)로 연 X-선(131)이 입사되도록 하는 연 X-선용 분광 단결정(130)과, 상기 연 X-선용 분광 단결정(130)으로부터 반사된 연 X-선(131)이 실리콘기판으로 흡수되는 흡수에너지 정도를 검출하는 검출기(140) 및 상기 검출기(140)에 의해 검출된 흡수에너지 정도를 이용하여 실리콘기판으로의 연 X-선(131) 입사각(θ1)과 출사각(θ2)을 분석하는 분석기(150)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 장치를 이용하여 실리콘 기판위에 형성된 실리콘 산화물 두께를 기존의 X-선 반사계보다 정밀하게 측정할 수가 있다. 실리콘기판, 실리콘화합물, 박막두께, 측정, 연 엑스선, 반사장치
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