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1
나노와이어(10)의 일측 단부가 융착되어 그리핑(gripping)되는 금속판(20);
일측단부가 상기 나노와이어(10)의 타측 단부와 접촉되고 융착되어 상기 나노와이어(10)를 그리핑(gripping)하는 팁(30);
상기 금속판(20) 또는 상기 팁(30)을 이송시켜 상기 나노와이어(10)를 인장시키는 매니퓰레이터;
어느 하나의 저항과 대체되어 상기 나노와이어(10)를 통해 통전되도록 상기 금속판(20)과 상기 팁(30)이 각각 연결되는 휘스톤 브리지 회로(40);
상기 나노와이어(10)에 부착되어 인장 변형률을 측정하는 변형률 측정 게이지;
상기 휘스톤 브리지 회로(40)와 연결되어 나노와이어(10)의 저항, 전압 또는 전류의 변화를 측정하는 멀티미터(50);
를 포함하여 이루어져, 기계적 특성과 전기적 특성이 동시에 측정되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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2
제 1 항에 있어서,
상기 금속판(20) 및 팁(30)은 나노와이어(10)의 각각의 단부와 전자빔에 의해 융착되어 상기 나노와이어(10)가 그리핑(gripping)되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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3
제 2 항에 있어서,
상기 전자빔은 SEM(60)으로부터 방출되는 전자빔을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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4
제 1 항 내지 제 3 항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
상기 매니퓰레이터는 3축으로의 이송이 가능하며 각 축으로의 이송은 1~10nm의 미세이송이 가능한 나노모터에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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5
제 1 항 내지 제 3 항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
상기 팁(30)은 텅스텐(W) 재질로 된 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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6
제 5 항에 있어서,
상기 팁(30)은 수산화칼륨(KOH)을 이용하여 화학적 에칭(chemical etching)에 의해 직경이 300 nm 이하로 제조되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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7
제 6 항에 있어서,
상기 팁(30)은 접촉저항을 줄이기 위해 표면에 금, 백금, 은, 구리로부터 선택되는 어느 하나로 스퍼터링하여 1~10 nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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8
제 1 항 내지 제 3 항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
상기 휘스톤 브리지 회로(40)의 중앙에 구비된 전압원(41)에 인가되는 전압은 DC 1 ~ 10(V) 인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정장치
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9
a) 나노와이어(10)의 일측 단부를 금속판(20)에 융착시켜 그리핑(gripping)시키는 단계;
b) 나노와이어(10)의 타측 단부를 팁(30)의 일측 단부에 접촉시키고 융착시켜 그리핑(gripping)시키는 단계;
c) 휘스톤 브리지 회로의 어느 하나의 저항과 대체되어 상기 나노와이어(10)를 통해 통전되도록 상기 금속판(20)과 상기 팁(30)을 각각 연결시키는 단계;
d) 상기 금속판(20) 또는 상기 팁(30)을 매니퓰레이터에 의해 이송시켜 상기 나노와이어(10)를 인장시키는 단계;
e) 상기 나노와이어(10)에 부착된 변형률 측정 게이지에 의해 인장 변형률을 측정하는 단계;
f) 상기 휘스톤 브리지 회로(40)의 중앙에 구비된 전압원(41)에 전압을 인가하고, 상기 휘스톤 브리지 회로(40)와 연결된 멀티미터(50)에 의해 나노와이어(10)의 저항, 전압 또는 전류의 변화를 측정하는 단계;
를 포함하여 이루어져, 기계적 특성과 전기적 특성이 동시에 측정되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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10
제 9 항에 있어서,
a), b) 단계에서 상기 금속판(20) 및 팁(30)은 나노와이어(10)의 각각의 단부와 전자빔에 의해 융착되어 상기 나노와이어(10)가 그리핑(gripping)되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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11
제 10 항에 있어서,
상기 전자빔은 SEM(60)으로부터 방출되는 전자빔을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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12
제 9 항 내지 제 11 항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
상기 매니퓰레이터는 3축으로의 이송이 가능하며 각 축으로의 이송은 1~10nm의 미세이송이 가능한 나노모터에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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13
제 9 항 내지 제 11 항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
상기 팁(30)은 텅스텐(W) 재질로 된 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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14
제 13 항에 있어서,
상기 팁(30)은 수산화칼륨(KOH)을 이용하여 화학적 에칭(chemical etching)에 의해 직경이 300 nm 이하로 제조되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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15
제 14 항에 있어서,
상기 팁(30)은 접촉저항을 줄이기 위해 표면에 금, 백금, 은, 구리로부터 선택되는 어느 하나로 스퍼터링하여 1~10 nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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16
제 9 항 내지 제 11 항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
상기 휘스톤 브리지 회로(40)의 중앙에 구비된 전압원(41)에 인가되는 전압은 DC 1 ~ 10(V) 인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 물성측정방법
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