맞춤기술찾기

이전대상기술

웨이퍼 두께변화 측정 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015179466
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 웨이퍼 두께변화 측정 방법 및 장치가 개시된다. 광조사단계에서 광원으로부터 방출된 광을 웨이퍼에 조사한다. 간섭무늬생성단계에서 웨이퍼의 상면 및 하면에서 각각 반사된 제 1광 및 제 2광을 중첩하여 간섭무늬를 생성한다. 산출단계에서 생성된 간섭무늬의 개수 및 제 1광과 제 2광 사이의 위상차를 기초로 웨이퍼의 두께변화를 산출한다. 본 발명에 따른 웨이퍼 두께변화 측정 방법 및 장치에 의하면, 크기가 100 mm 보다 크고, 두께가 얇은 웨이퍼의 두께를 정확하게 측정할 수 있고, 웨이퍼의 하면과 기준면 사이에 발생하는 간섭무늬로 인한 중첩현상을 제거하여 웨이퍼의 두께변화를 최소한 λ/(2n)의 (λ:광원의 파장, n:웨이퍼의 굴절률) 정확도로 측정가능하며, 스캔(scan)과정이 요구되지 않아 신속하게 웨이퍼의 두께변화를 측정할 수 있어, 고품질의 웨이퍼를 저렴하고 신속하게 생산할 수 있다. 웨이퍼, 두께, 하이딩거 간섭무늬, 광원, 총두께변화
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020070112790 (2007.11.06)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0933313-0000 (2009.12.14)
공개번호/일자 10-2009-0046566 (2009.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20091222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.06)
심사청구항수 23

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송재봉 대한민국 대전 서구
2 이윤우 대한민국 대전 서구
3 이회윤 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0797140-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0071979-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0235075-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0451227-26
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0451213-98
7 등록결정서
Decision to grant
2009.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0462207-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광원으로부터 방출된 광을 웨이퍼에 조사하는 광조사단계; 상기 웨이퍼의 상면 및 하면에서 각각 반사된 제 1광 및 제 2광을 중첩하여 간섭무늬를 생성하는 간섭무늬생성단계; 및 상기 생성된 간섭무늬의 개수 및 제 1광과 제 2광 사이의 위상차를 기초로 상기 웨이퍼의 두께변화를 산출하는 산출단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 광원은 확장광원인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 광원은 적외선광원인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 웨이퍼는 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 유리 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 광조사단계에서, 상기 광을 상기 웨이퍼에 수직으로 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 간섭무늬생성단계에서, 상기 간섭무늬 내의 임의의 점은 상기 웨이퍼의 소정의 영역 내에서 반사된 광으로 생성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 소정의 영역은 근사적으로 상기 웨이퍼의 한 점으로 해석되는 크기인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 산출단계에서, 다음의 수학식을 기초로 상기 간섭무늬 내의 임의의 점 P에 대응하는 상기 웨이퍼의 영역의 두께(dp)를 산출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법: [수학식] 여기서, N, n, θ는 각각 간섭무늬 개수, 평판의 굴절률, 입사광선의 입사각이다
10 10
제 1항에 있어서, 상기 간섭무늬생성단계는, 상기 제 1광 및 제 2광을 결상렌즈로 조사하는 단계; 및 상기 조사된 제 1광 및 제 2광을 상기 결상렌즈를 통해 중첩하여 간섭무늬를 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
11 11
제 10항에 있어서, 웨이퍼 두께변화 측정 방법은, 상기 웨이퍼 및 결상렌즈 사이의 거리를 변경하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
12 12
제 11항에 있어서, 웨이퍼 두께변화 측정 방법은, 상기 거리에 따라 상기 간섭무늬의 개수의 변화를 기초로 상기 웨이퍼의 곡률을 산출하는 단계를 더 포함하는 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 방법
13 13
광을 방출하여 웨이퍼에 조사하는 광조사부; 상기 웨이퍼의 상면 및 하면에서 각각 반사된 제 1광 및 제 2광을 굴절시켜 투사하는 결상렌즈; 상기 투사된 제 1광 및 제 2광이 중첩되어 생성된 간섭무늬를 검출하는 광검출부; 및 상기 검출된 간섭무늬의 개수 및 제 1광과 제 2광 사이의 위상차를 기초로 상기 웨이퍼의 두께변화를 산출하는 산출부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
14 14
제 13항에 있어서, 상기 광조사부는 확장광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
15 15
제 14항에 있어서, 상기 확장광원은 적외선광원인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
16 16
제 15항에 있어서, 상기 웨이퍼는 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
17 17
제 13항에 있어서, 상기 웨이퍼는 유리 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
18 18
제 13항에 있어서, 상기 광조사부는 상기 광을 상기 웨이퍼에 수직으로 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
19 19
제 13항에 있어서, 상기 결상렌즈의 크기는 상기 간섭무늬 내의 임의의 점이 상기 웨이퍼의 소정의 영역 내에서 반사된 광으로 생성되게 하는 크기인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
20 20
제 19항에 있어서, 상기 소정의 영역은 근사적으로 상기 웨이퍼의 한 점으로 해석되는 크기인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
21 21
제 13항에 있어서, 상기 산출부는, 다음의 수학식을 기초로 상기 간섭무늬 내의 임의의 점 P에 대응하는 상기 웨이퍼의 영역의 두께(dp)를 산출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치: [수학식] 여기서, N, n, θ는 각각 간섭무늬 개수, 평판의 굴절률, 입사광선의 입사각이다
22 22
제 13항에 있어서, 상기 웨이퍼 두께변화 측정 장치는, 상기 웨이퍼 및 결상렌즈 사이의 거리를 변경하는 거리조절수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
23 23
제 22항에 있어서, 상기 산출부는, 상기 거리에 따라 상기 간섭무늬의 개수의 변화를 기초로 상기 웨이퍼의 곡률을 산출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 두께변화 측정 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.