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내플라즈마 평가방법

  • 기술번호 : KST2015179470
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내플라즈마 평가방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체와 같은 정밀기기에 사용되는 부품의 코팅성능을 측정하기위한 방법 중 내플라즈마 평가방법에서 시편을 측정하기 위한 챔버의 환경조건을 표준화하여 측정장치의 챔버 크기가 다른 상황에서도 유사한 측정값을 얻을 수 있도록 하는 내플라즈마 평가방법에 관한 것이다. 본 발명의 내플라즈마 평가방법은 플라즈마의 전자밀도를 기준으로 플라즈마발생장치의 파워를 조절하여 챔버내의 플라즈마 밀도를 일정하게 유지함으로써 챔버의 크기에 관계없이 일정한 전자밀도를 갖는 챔버 환경을 제공할 수 있다. 또한, 상기 균일한 전자밀도의 플라즈마 상태에 시편이 일정시간 노출하여 반응이 이루어지게 함으로써 측정기기가 변경되어도 동일/유사한 측정값을 수취하여 내플라즈마 정도를 평가 하여 코팅이 적합하게 이루어진 부품 사용이 가능하도록 하는 유용한 방법의 제공이 가능하게 된 것이다. 코팅성능, 평가장치, 플라즈마, 전자밀도, 부식
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01J 37/32917(2013.01) H01J 37/32917(2013.01)
출원번호/일자 1020070130359 (2007.12.13)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0934768-0000 (2009.12.22)
공개번호/일자 10-2009-0062886 (2009.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20091230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤주영 대한민국 서울 양천구
2 강상우 대한민국 서울 용산구
3 성대진 대한민국 충남 공주시
4 신용현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0898311-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022302-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275870-26
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0534686-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0534696-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0521977-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
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번호 청구항
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반도체를 포함한 정밀기기에 사용되는 부품의 코팅성능을 평가하는 내플라즈마 평가방법에 있어서, 코팅 부품의 시편을 제조하는 과정(P1)과; 제조된 시편의 내전압을 측정하는 초기 내전압측정과정(P2)과; 플라즈마발생 챔버의 운전조건을 실험환경으로 설정하는 과정(P3)과; 설정된 챔버에 시편을 안치하고 플라즈마에 노출시켜 반응이 이루어지도록 하는 내플라즈마 실험과정(P4)과; 상기 플라즈마 반응이 일어난 시편을 꺼내어 내전압을 측정하는 2차 내전압측정과정(P5)과; 상기 측정된 2차내전압측정값과 초기내전압측정값을 대비하여 결과를 도출하는 내플라즈마 평가과정(P6);을 포함하여 이루어지되, 상기 플라즈마 챔버의 설정과정(P3)은, 챔버내에 설정하고자 하는 플라즈마 표준밀도값을 선택하는 단계(S1)와; 플라즈마 챔버 내의 파라메타를 실험표준값으로 유지시키는 단계(S2)와; 플라즈마 발생장치의 세기를 조절하여 플라즈마 챔버내의 플라즈마밀도를 선택된 표준밀도값과 일치시키는 단계(S3);를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 내플라즈마 평가방법
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삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 내플라즈마 실험과정은, 플라즈마 챔버에 시편을 10분 노출시킨 것을 1회로 하여, 다수회가 반복 실행되도록 한 것을 특징으로 하는 내플라즈마 평가방법
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제3항에 있어서, 상기 노출횟수의 간격은 최소한 30분이상 유지하도록 하여 시편표면의 반응이 충분히 완료된 후 실험환경설정과정을 수행한 플라즈마에 재노출되도록 한 것을 특징으로 하는 내플라즈마 평가방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산자부 한국표준과학연구원 국가연구개발 진공기반구축